[发明专利]一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为高浓度杂质掺杂第一导电半导体材料构成；

电荷补偿结构，位于衬底层之上，为条状第一导电半导体材料和条状第二导电半导体材料交替排列构成，第二导电半导体材料为单晶第二导电半导体材料包裹多晶第二导电半导体材料构成，多晶第二导电半导体材料构成位于沟槽中，单晶第二导电半导体材料临靠沟槽外侧，多晶第二导电半导体材料与第一导电半导体材料不相连；

第一导电半导体材料层，位于电荷补偿结构之上和电荷补偿结构与衬底层之间，为第一导电半导体材料构成；

肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料层上表面。

2.如权利要求1所述的一种具有电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后在第一导电半导体材料层表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺，第一导电半导体材料表面去除部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露第一导电半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内形成多晶第二导电半导体材料，然后进行平整化工艺；

4)进行第一导电半导体材料外延，然后在第一导电半导体材料表面形成一种绝缘介质，进行光刻腐蚀工艺，在第一导电半导体材料表面去除部分绝缘介质；

5)在第一导电半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。