[发明专利]一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个

沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽底部和侧壁下部表面有绝缘层，沟槽侧壁上部表面没有绝缘层，具有绝缘层的沟槽内填充有介质材料；多个

电荷补偿区，位于沟槽之间，其中沟槽之间的单个电荷补偿区由单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料排列构成，单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料都临靠沟槽，电荷补偿区半导体材料的上表面覆盖绝缘材料；

肖特基势垒结，位于沟槽侧壁上部表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的具有绝缘层的沟槽内填充的介质材料为绝缘材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的电荷补偿区的第一导电半导体材料临靠左侧沟槽，电荷补偿区的第二导电半导体材料临靠右侧沟槽。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料形成电荷补偿。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为第一导电半导体材料与势垒金属形成的结。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结包括为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料与势垒金属形成的结。

7.如权利要求1所述的一种具有沟槽结构肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；

3)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；

4)进行单侧倾斜注入退火工艺；

5)在沟槽内壁形成钝化层，在沟槽内填充介质材料；

6)反刻蚀介质材料，腐蚀去除器件表面部分钝化层；

7)在器件表面淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结。