[发明专利]确定半导体材料中电荷俘获中心的方法

权利要求书

1.一种在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料表面形成源极和漏极结构；以金属探针作为可以移动的栅极；其特征还包括：

通过改变探针的位置来改变俘获中心所俘获的电子数目；

通过在平行于半导体材料表面的平面扫描金属探针，获得栅极电流随金属探针位置变化的图像；

确定电子俘获中心的分布位置和密度。

2.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，导电通道和空气之间存在一个或者多个绝缘介质层。

3.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，所述金属探针尖端的曲率半径小于100 nm。

4.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，所述金属探针通过在绝缘探针表面沉积金属薄膜获得，也可以通过腐蚀金属材料获得。

5.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，所属金属探针尖端距离半导体材料表面的距离小于1微米。

6.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，所述金属探针上要施加相对于源极的负直流电压，或者在相对于源极的负直流电压上叠加一交流电压。

7.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，金属探针在平行于半导体材料表面的平面扫描并绘制漏极电流随金属探针位置变化的图像时，图像上相邻两像素的间距小于10 nm。

8.依据权利要求1所述的在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，其特征在于，电子俘获中心的分布密度由权利要求7中所述图像中电子俘获中心的数目计算得出。