[发明专利]可变电阻存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器装置，包括：

第一公用线；

第二公用线；

储存元件，连接在所述第一公用线与所述第二公用线之间，以充当其电阻根据向其施加的电压而改变的储存元件；以及

驱动控制电路，用于通过改变在所述第二公用线上出现的电势来启动驱动所述储存元件做出从高电阻状态到低电阻状态的转变的电阻减少操作，用于通过在所述电阻减少操作期间调整在所述第一公用线上出现的电势来控制流过所述储存元件的元件电流，并且用于通过在经过使得所述储存元件能够做出从所述高电阻状态到所述低电阻状态的所述转变的时段之后使得在所述第一公用线上出现的所述电势等于在所述第二公用线上出现的所述电势、来终止所述电阻减少操作。

2.根据权利要求1的可变电阻存储器装置，其中，所述驱动控制电路包括：

电压驱动部件，被构造为：在所述电阻减少操作的启动时，改变在所述第二公用线上出现的所述电势，以便生成所述第一公用线与所述第二公用线之间的电势上的差异，并且将根据所述差异确定的电压施加到所述储存元件；

电流控制部件，被构造为：通过调整在所述第一公用线上出现的所述电势来控制流过所述储存元件的所述元件电流；以及

均衡化部件，被构造为：在经过使得所述储存元件能够做出从所述高电阻状态到所述低电阻状态的所述转变的时段之后但是在所述电压驱动部件对在所述第二公用线上出现的所述电势进行反转之前，或紧接在所述电压驱动部件已经反转在所述第二公用线上出现的所述电势之后，使在所述第一公用线上出现的所述电势等于在所述第二公用线上出现的所述电势。

3.根据权利要求2的可变电阻存储器装置，其中，所述均衡化部件包括：

短路开关，连接在所述第一公用线与所述第二公用线之间，以充当用于使得所述第一公用线和所述第二公用线彼此短路的电路。

4.根据权利要求3的可变电阻存储器装置，其中，所述均衡化部件仅仅在预定时段期间将所述短路开关置于导电状态中，该预定时段包括对在所述第二公用线上出现的所述电势进行反转的定时。

5.根据权利要求3的可变电阻存储器装置，其中，所述短路开关是P型金属氧化物半导体晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管或另一电路，该另一电路被构造为包括两个金属氧化物半导体晶体管，即，N型金属氧化物半导体晶体管和P型金属氧化物半导体晶体管，所述N型金属氧化物半导体晶体管和P型金属氧化物半导体晶体管的源极电极彼此连接，它们的漏极电极同样也彼此连接，并且分别通过具有彼此相反相位的两个控制信号来进行驱动。

6.根据权利要求2的可变电阻存储器装置，其中，

所述电压驱动部件连接到所述第二公用线，以充当以下部件，该部件被构造为：通过将在所述第二公用线上出现的所述电势从基准电势改变到电源电势来启动所述电阻减少操作，并且在所述电阻减少操作结束之后，将在所述第二公用线上出现的所述电势从所述电源电势恢复回到所述基准电势；

所述储存元件通过存取晶体管连接到所述第一公用线，该存取晶体管的栅极电极在所述电阻减少操作期间正在接收固定电压，以便将所述存取晶体管维持在导电状态；并且

所述电流控制部件包括：

控制电路，以及

电流控制晶体管，连接在所述第一公用线与用于供应所述基准电势的线之间并且通过所述控制电路来进行控制，以充当用于根据向其栅极电极供应的电势的电平来控制所述元件电流的幅度的电流控制晶体管。

7.根据权利要求2的可变电阻存储器装置，其中，

所述电压驱动部件连接到所述第二公用线，以充当以下部件，该部件被构造为：通过将在所述第二公用线上出现的所述电势从电源电势改变到基准电势来启动所述电阻减少操作，并且在所述电阻减少操作结束之后，将在所述第二公用线上出现的所述电势从所述基准电势恢复回到所述电源电势；

所述储存元件通过存取晶体管连接到所述第二公用线，该存取晶体管的栅极电极在所述电阻减少操作期间正在接收固定电压，以便将所述存取晶体管维持在导电状态；并且

所述电流控制部件包括：

控制电路，以及

电流控制晶体管，连接在所述第一公用线与用于供应所述电源电势的线之间并且通过所述控制电路来进行控制，以充当用于根据向其栅极电极供应的电势的电平来控制所述元件电流的幅度的电流控制晶体管。