[发明专利]金属熔丝的制造方法有效
| 申请号： | 201210147023.6 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390578A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵新梅;郑炯 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 制造 方法 | ||
1.一种金属熔丝的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在一半导体基底上依次形成次顶层金属、层间膜、顶层金属和钝化层，所述次顶层金属包括次顶层连线金属和金属熔丝，所述顶层金属和所述次顶层连线金属通过所述层间膜隔离并通过形成于所述层间膜中的通孔连接；
步骤二、利用一层光罩将所述金属熔丝区域打开；
步骤三、利用刻蚀工艺依次对所述金属熔丝区域的所述钝化层和所述层间膜进行刻蚀，刻蚀后所述金属熔丝露出；
步骤四、采用刻蚀工艺对所述金属熔丝进行减薄；
步骤五、进行第二钝化层淀积，在所述金属熔丝区域所述第二钝化层将所述金属熔丝覆盖并用于对所述金属熔丝进行保护，在所述金属熔丝区域外所述第二钝化层位于所述钝化层上；
步骤六、采用光刻刻蚀进行衬底焊盘开口，将所述衬垫焊盘区域的所述第二钝化层和所述钝化层去除并将所述顶层金属露出。
2.如权利要求1所述的金属熔丝的制造方法，其特征在于：所述层间膜为氧化膜。
3.如权利要求1所述的金属熔丝的制造方法，其特征在于：所述次顶层金属的材质为铝、铜或钨；所述顶层金属的材质为铝、铜或钨。
4.如权利要求1所述的金属熔丝的制造方法，其特征在于：所述钝化层为由底层为氧化硅、顶层为氮化硅或氮氧化硅组成的双层膜。
5.如权利要求1所述的金属熔丝的制造方法，其特征在于：所述第二钝化层为氮化硅或氮氧化硅。
6.如权利要求1或5所述的金属熔丝的制造方法，其特征在于：步骤五中所淀积的所述第二钝化层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
