[发明专利]一种自适应线性化偏置电路结构无效
| 申请号： | 201210147095.0 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103391048A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 牛玉琴 | 申请（专利权）人： | 牛玉琴 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/32;H03F3/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110168 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 线性化 偏置 电路 结构 | ||
1.一种自适应线性化偏置电路结构，包括线性化偏置电路(101)，其特征在于线性化偏置电路(101)通过自适应电路(103)与射频放大器单元电路(102)相连，自适应电路(103)端口与输入信号相连；所述自适应电路(103)根据输入信号功率的变化调整功率放大器单元的偏置电压。
2.根据权利要求1所述一种自适应线性化偏置电路结构，其特征在于所述自适应电路(103)采用阻容电路，阻容电路将输入信号分流、移相、叠加。
3.根据权利要求1所述一种自适应线性化偏置电路结构，其特征在于所述阻容电路包括第一微带线(MLin1)，第一微带线(MLin1)一端分别与输入信号和自适应电容(C2)相连，第一微带线(MLin1)另一端与耦合电容(C1)一端相连，耦合电容(C1)另一端分别与第二微带线(MLin2)一端和射频放大器单元电路(102)端口相连，第二微带线(MLin2)另一端分别与自适应电容(C2)和线性化偏置电路(101)端口相连。
4.根据权利要求1所述一种自适应线性化偏置电路结构，其特征在于所述线性化偏置电路(101)包括第一三极管(Q1)，第一三极管(Q1)发射极分别与第二三极管(Q2)集电极和基极相连，第二三极管(Q2)发射极与偏置电源负极相连；第一三极管(Q1)基极分别与第一电容(Cb)一端和第三三极管基极相连，第一电容(Cb)另一端与偏置电源负极相连，第三三极管(HBT2)集电极与电阻(2)一端相连，电阻(2)另一端与第一三极管(Q1)集电极相连；第三三极管(HBT2)发射极与所述阻容电路端口相连。
5.根据权利要求1所述一种自适应线性化偏置电路结构，其特征在于所述射频放大器单元电路(102)包括第四三极管HBT1，第四三极管(HBT1)基极与所述自适应电路(103)端口相连，第四三极管(HBT1)集电极分别与电感一端和第二电容一端相连，电感另一端与电源相连，电容另一端作为输出与后级相连，第四三极管(HBT1)发射极与电源负极相连。
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