[发明专利]开关电路和用于开关电路的方法有效
申请号: | 201210147424.1 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN102790608A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·约瑟夫·莫拉 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H03K17/687 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;张颖玲 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电路 用于 方法 | ||
1.一种开关电路,其定义有导通状态和断开状态,所述开关电路在处于所述导通状态时将第一节点连接到第二节点,所述电路包括:
MOSFET装置,其包括:
栅极;
源极,其被连接到所述第一节点;以及
漏极,其被连接到所述第二节点;
其中,当所述MOSFET装置处于所述导通状态时,信号能够在所述源极与所述漏极之间传送;以及
求和电路,其具有输出端,所述输出端连接到所述MOSFET装置的所述栅极,所述求和电路被配置为在所述导通状态期间维持所述MOSFET装置的所述栅极与所述MOSFET装置的所述源极之间具有实质上恒定的控制电压,所述求和电路包括:
电流源,其被连接到所述输出端;
二极管网络,其被连接到所述电流源,并被连接到所述第一节点和所
述第二节点中的至少一个,所述二极管网络被配置为在所述导通状态期间
从所述电流源接收电流;以及
控制开关,其连接到所述输出端,所述控制开关被配置为在所述断开
状态期间转移来自所述二极管网络的所述电流。
2.根据权利要求1所述的开关电路,包括:缓冲器,其被连接到所述二极管网络,并被连接到所述第一节点和所述第二节点中的所述至少一个。
3.根据权利要求1所述的开关电路,其中,所述控制开关包括晶体管,所述晶体管被配置为在所述晶体管的栅极节点处接收控制信号。
4.根据权利要求1所述的开关电路,包括:低压监控电路,其被配置为将所述控制开关的节点连接到参考电压,其中,所述参考电压是以下两者中的较低者:接地电压、或所述第一节点和所述第二节点中的一个处的电压。
5.根据权利要求4所述的开关电路,其中,所述低压监控电路包括连接到所述控制开关的第一晶体管和第二晶体管。
6.根据权利要求5所述的开关电路,其中,所述低压监控电路的所述第一晶体管和所述第二晶体管相互交叉连接。
7.根据权利要求5所述的开关电路,其中,所述第一晶体管连接到接地;并且
其中,所述第二晶体管连接到所述第一节点和所述第二节点中的一个。
8.一种用于开关电路的方法,包括:
在MOSFET开关的第一开关节点处接收信息;
提供电流以生成所述MOSFET开关的控制信号;
将所述电流传送通过连接到所述MOSFET开关的栅极节点以及所述第一开关节点的二极管网络,所述电流被配置为生成所述控制信号的第一状态,所述控制信号的所述第一状态被配置为将所述信息从所述第一开关节点传送到所述MOSFET开关的第二开关节点;以及
将所述电流从所述二极管网络转移到参考,所转移的电流被配置为生成所述控制信号的第二状态,所述控制信号的所述第二状态被配置为在所述MOSFET开关处将所述第一开关节点与所述第二开关节点隔离。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述电流传送通过所述二极管网络包括:在所述控制信号的所述第一状态下,在所述MOSFET装置的所述栅极与所述MOSFET装置的所述源极之间维持实质上恒定的第一控制电压电平。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述电流从所述二极管网络转移到参考包括:在所述控制信号的所述第二状态下,在所述MOSFET装置的所述栅极与所述MOSFET装置的所述源极之间维持第二控制电压电平。
11.根据权利要求8所述的方法,包括:缓冲来自所述第一开关节点的所述电流。
12.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述电流从所述二极管网络转移到参考包括:当所述第一节点处的电压大于接地电压时,将来自所述二极管网络的所述电流转移到接地。
13.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述电流从所述二极管网络转移到参考包括:当所述第一节点处的电压小于接地电压时,将来自所述二极管网络的所述电流转移到所述第一节点。
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