[发明专利]一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺无效
| 申请号： | 201210147521.0 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102659178A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李贵生;张鹏;张蝶青;李和兴 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 张美娟 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 001 暴露 有氧 缺陷 可见光 氧化 纳米 合成 工艺 | ||
1.一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：包括如下步骤：
（1）将钛的前驱体一起溶于溶剂A中得到溶液B；
（2）将溶液B在40°C下陈化2d；
（3）将陈化后得到的产物通过超临界萃取技术处理，得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。
2.根据权利要求1所述的{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：步骤（1）中的钛的前驱体为钛酸丁酯和四氟化钛，且摩尔比为1∶（0.75～4）。
3.根据权利要求1所述的{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：步骤（1）中的溶剂A为硝酸水溶液和乙醇的混合溶液，且体积比为1.25∶25。
4.根据权利要求1所述的{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：步骤（1）中的硝酸水溶液为硝酸与水的体积比为1∶5。
5.根据权利要求1所述的{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：步骤（1）中溶液B中Ti元素与溶剂A的摩尔体积比（1.75～5）∶26.25。
6.根据权利要求1所述的{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：步骤（3）中超临界萃取技术处理为陈化温度优选230～290°C，陈化时间优选0.5～8h。
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