[发明专利]一种多工位硅片台多台交换系统及其交换方法

权利要求书

1.一种三工位硅片台多台交换系统，包括基台（001）、测量工位（101）、曝光工位（102）及两个承载硅片（900）的承片台；基台上表面（100）为气浮平面或磁浮平面，测量工位与曝光工位处于基台上表面内；承片台通过气浮轴承或磁悬浮设置在基台上表面，携带硅片在直线电机或平面电机的驱动下完成测量工位和曝光工位之间的交换；曝光工位对应一个曝光系统（201），其特征在于：该硅片台多台交换系统还包括一个工艺处理工位（103）和另一个承片台，工艺处理工位与测量工位、曝光工位处于同一平面内，三个承片台在三个工位之间完成交换。

2.一种采用如权利要求1所述系统的三工位硅片台多台交换方法，其特征在于：硅片台对应的掩膜台采用双掩模版承版台时，三个承片台的交换顺序为：首先，硅片台处于测量工位的承片台与处于曝光工位的承片台交换，掩膜台双掩膜版承版台切换第一掩膜版（312）至曝光位置，对处于曝光工位的承片台所携带的硅片光刻第一掩膜版的图案；然后，硅片台处于曝光工位的承片台与处于工艺处理工位的承片台交换，掩膜台双掩膜版承版台切换第二掩膜版（313）至曝光位置，对处于曝光工位的承片台所携带的硅片光刻第二掩膜版的图案。

3.根据权利要求2所述的一种三工位硅片台多台交换方法，其特征在于：三个承片台交换的具体顺序为：第一阶段，完成光刻第一掩膜版图案工序的第三承片台与完成工艺处理工序的第二承片台进行交换，第三承片台处于工艺处理工序，第二承片台处于光刻第二掩膜版图案工序，位于测量工位的第一承片台等待；第二阶段，完成上下片操作及预处理工序的第一承片台与完成光刻第二掩膜版图案工序的第二承片台进行交换，第一承片台处于光刻第一掩膜版图案工序，第二承片台处于上下片操作及预处理工序，位于工艺处理工位的第三承片台等待；第三阶段，完成光刻第一掩膜版图案工序的第一承片台与完成工艺处理工序的第三承片台进行交换，第一承片台处于工艺处理工序，第三承片台处于光刻第二掩膜版图案工序，位于测量工位的第二承片台等待；第四阶段，完成上下片操作及预处理工序的第二承片台与完成光刻第二掩膜版图案工序的第三承片台进行交换，第二承片台处于光刻第一掩膜版图案工序，第三承片台处于上下片操作及预处理工序，位于工艺处理工位的第一承片台等待；第五阶段，完成光刻第一掩膜版图案工序的第二承片台与完成工艺处理工序的第一承片台进行交换，第二承片台处于工艺处理工序，第一承片台处于光刻第二掩膜版图案工序，位于测量工位的第三承片台等待；第六阶段，完成上下片操作及预处理工序的第三承片台与完成光刻第二掩膜版图案工序的第一承片台进行交换，第三承片台处于第一掩膜版图案工序，第一承片台处于上下片操作及预处理工序，位于工艺处理工位的第二承片台等待。

4.根据权利要求3所述的一种三工位硅片台多台交换方法，其特征在于：每个承片台的工作流程为：在测量工位完成上下片操作及测量、对准预处理后，携带硅片运动至曝光工位，对硅片光刻第一掩膜版的图案；完成光刻后，承片台携带硅片运动至工艺处理工位，对硅片进行工艺处理；之后，承片台携带硅片运动至曝光工位，对硅片光刻第二掩膜版的图案；完成光刻后，承片台携带硅片运动至测量工位。

5.一种四工位硅片台多台交换系统，包括基台、测量工位、曝光工位及两个承载硅片的承片台；基台上表面为气浮平面或磁浮平面，测量工位与曝光工位处于基台上表面内；承片台通过气浮轴承或磁悬浮设置在基台上表面，携带硅片在直线电机或平面电机的驱动下完成测量工位和曝光工位之间的交换，其特征在于：该硅片台多台交换系统还包括一个工艺处理工位、第二曝光工位（105）和另外两个承片台；工艺处理工位、第二曝光工位、测量工位和原有的第一曝光工位（104）均处于同一平面内；第一曝光工位和第二曝光工位分别对应第一曝光系统（202）和第二曝光系统（203）；第一曝光系统和第二曝光系统分别光刻第一掩膜版（312）和第二掩膜版（313）的图案；四个承片台在四个工位之间完成交换。

6.一种采用如权利要求5所述系统的四工位硅片台多台交换方法，其特征在于：四个承片台的交换顺序为：硅片台的四个承片台按顺序依次运动至测量工位、第一曝光工位、工艺处理工位、第二曝光工位；分别对处于第一曝光工位和第二曝光工位的承片台所携带的硅片光刻第一掩膜版和第二掩膜版的图案。