[发明专利]一种快速制备C/SiC陶瓷基复合材料的方法

权利要求书

1.一种快速制备C/SiC陶瓷基复合材料的方法，其特征在于：

（1）碳纤维预制件的制备：将碳纤维以单向铺排或编织方式制成一维单向或三维碳纤维预制件，或者是将二维碳纤维布逐层铺排或叠层铺排+穿刺制得碳纤维预制件；

碳纤维预制件中碳纤维的体积分数均控制在30～55%；

（2）脉冲CLVD工艺制备C/SiC陶瓷基复合材料：将碳纤维预制件置于盛有液态低分子聚碳硅烷先驱体溶液的化学液气相沉积炉内充分浸渍，然后在惰性气体的保护下，采用脉冲式加热的CLVD工艺对碳纤维预制件进行致密化，最终制得密度分布均匀的C/SiC陶瓷基复合材料；其中，升温速率为500～1000℃/h，脉冲周期内加热的时间为3～10min，停止加热的时间为10s～3min，沉积时间为1～8h，沉积温度为1000～1600℃；

（3）试件机械加工：在完成脉冲CLVD的过程后，将得到的C/SiC陶瓷基复合材料在150～200℃下烘1～3h，然后对坯体进行表面加工，得到表面光滑的试件；表面加工完成后，若预制件带石墨芯模，则从试件中脱出芯模，最终获得所需的C/SiC陶瓷基复合材料。