[发明专利]一种低压差线性稳压器及其电源抑制比提高方法无效
申请号: | 201210148461.4 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN103389763A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 李东 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;程立民 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压器 及其 电源 抑制 提高 方法 | ||
1.一种低压差线性稳压器(LDO),其特征在于,该LDO包括:电源抑制比(PSRR)提高电路和低压差稳压电路,其中,
PSRR提高电路,配置为在输入电压有高频小信号时,放大所述高频小信号,并将放大后的高频小信号传送至低压差稳压电路的输出增益节点,增加低压差稳压电路的增益;
低压差稳压电路,配置为对输入电流进行调节,产生稳定的输出电压。
2.根据权利要求1所述的LDO,其特征在于,所述PSRR提高电路包括配置有RC滤波器的第一电流镜。
3.根据权利要求2所述的LDO,其特征在于,所述第一电流镜包括第一分支电路、RC滤波器和第二分支电路,其中,
第一分支电路工作为跟随器,配置为快速响应所述高频小信号;
RC滤波器,配置为阻断第一分支电路向第二分支电路传导的高频小信号;
第二分支电路工作为共栅放大电路,配置为放大所述高频小信号,并传送至低压差稳压电路的输出增益节点。
4.根据权利要求3所述的LDO,其特征在于,所述PSRR提高电路包括:PMOS(P1)、PMOS(P2)、电流源(B1)、电阻(Rf)、电容(Cf),其中,PMOS(P1)和电流源(B1)构成所述第一分支电路,电阻(Rf)和电容(Cf)构成所示RC滤波器,PMOS(P2)构成所述第二分支电路;
所述PMOS(P1)和PMOS(P2)的源极都连接输入电压,PMOS(P1)和PMOS(P2)的栅极通过电阻(Rf)连接;电容(Cf)一端连接PMOS(P2)的栅极,另一端接地;电流源(B1)一端连接PMOS(P1)的漏极,另一端接地;PMOS(P2)的漏极连接低压差稳压电路的输出增益节点。
5.根据权利要求4所述的LDO,其特征在于,所述低压差稳压电路包括第二电流镜和负反馈电路,其中,
第二电流镜,配置为产生输出电压;
负反馈电路,配置为根据输出电压调节输入电流,保持输出电压稳定。
6.根据权利要求5所述的LDO,其特征在于,所述低压差稳压电路包括:误差放大器(EA)、NMOS(N1)、PMOS(P3)、PMOS(P4)、分压电阻(R1)、采样电阻(R2);其中,PMOS(P3)和PMOS(P4)构成第二电流镜,EA、NMOS(N1)、分压电阻(R1)和采样电阻(R2)构成负反馈电路;
所述EA的正输入端接收参考电压,负输入端连接分压电阻(R1)与采样电阻(R2)的相连处,输出端连接NMOS(N1)的栅极,NMOS(N1)的源极接地,漏极连接PMOS(P3)的栅极和漏极、PMOS(P4)的栅极、以及PSRR提高电路中PMOS(P2)的漏极,所述PMOS(P3)和PMOS(P4)连接成共源共栅的电流镜,PMOS(P4)的漏极连接分压电阻(R1),并作为输出端连接负载。
7.一种LDO的PSRR提高方法,其特征在于,在LDO中设置PSRR提高电路;该方法还包括:
在输入电压有高频小信号时,所述PSRR提高电路放大所述高频小信号,并传送至低压差稳压电路的输出增益节点,增加低压差稳压电路的增益。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述PSRR提高电路放大所述高频小信号,具体为:所述PSRR提高电路的第一分支电路工作为跟随器,快速响应所述高频小信号,所述PSRR提高电路的RC滤波器阻断所述第一分支电路向所述PSRR提高电路的第二分支电路传导的高频小信号,所述第二分支电路工作为共栅放大电路,放大所述高频小信号。
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