[发明专利]形成膜层的方法

权利要求书

1.一种形成膜层的方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上方设置第一管，所述第一管具有第一管口和第二管口，所述第一管口与所述基底相对；

通过所述第二管口在所述第一管中通入用于形成膜层的气体，使所述用于形成膜层的气体呈束到达所述基底，以在呈束的气体到达的位置上形成膜层。

2.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一管外套设第二管，所述第二管和第一管之间具有间隙；

在所述第一管中通入气体时，在所述间隙中通入冷却气体，所述冷却气体的温度小于用于形成膜层的气体的温度，以达到降低基底温度的目的；且所述第一管对所述冷却气体为热的不良导体，防止冷却气体降低第一管内用于形成膜层的气体的温度以影响反应的进行。

3.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，还包括：

第二管，位于所述第一管的旁侧；

在所述第一管中通入气体时，在所述第二管中通入冷却气体，所述冷却气体的温度小于用于形成膜层的气体的温度。

4.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，将通有用于形成膜层气体的第一管扫描基底表面，在基底表面上形成一整层膜层。

5.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第一管为单孔管。

6.如权利要求5所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述单孔管为圆孔管，且所述圆孔管靠近基底的管口的直径为1微米到1厘米。

7.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第一管为多孔管，包括多个管道，所述用于形成膜层的气体分别通入所述各个管道。

8.如权利要求7所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述管道靠近基底的管口的直径为1微米到1厘米。

9.如权利要求2或3所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第二管靠近基底的管口的直径为1微米到1厘米。

10.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，还包括：对所述第一管中的气体进行加热。

11.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，在所述第一管中通入用于形成膜层的气体之前，还包括：对所述用于形成膜层的气体进行加热。

12.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述用于形成膜层的气体为利用化学气相沉积形成膜层时使用的气体。

13.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述用于形成膜层的气体为利用等离子体化学气相沉积或增强等离子体化学气相沉积形成膜层时使用的气体；

将用于形成膜层的气体通入第一管之前，还包括将所述用于形成膜层的气体等离化；或者，对通入所述第一管内的用于形成膜层的气体进行等离化；或者，在用于形成膜层的气体流出第一管后，对用于形成膜层的气体进行等离化。

14.如权利要求13所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第一管外设置有缠绕所述第一管的第一线圈，在所述第一线圈中通入直流电。

15.如权利要求13所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述在所述第一管外设置缠绕所述第一管的第二线圈，在所述第二线圈中通入交流电，所述交流电用于对通入所述第一管内的用于形成膜层的气体进行等离化；

或者，在所述第一管靠近基底的管口设置电极，所述电极用于对流出第一管的用于形成膜层的气体进行等离化。

16.如权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述膜层为半导体前段工艺中形成的膜层或后段工艺中形成的膜层。

17.如权利要求16所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述膜层为介质层或导电层。