[发明专利]像素重新生成设备和使用该设备的像素重新生成方法有效

专利信息
申请号: 201210149047.5 申请日: 2012-05-14
公开(公告)号: CN102779953A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 金仙株;李浚政;元载雄;柳旲坤;韩己善;宋宙延;沁明星;李真远;李天载;李孝成;朴愿绪 申请(专利权)人: 株式会社COWINDST
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;B23K26/06
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素 重新 生成 设备 使用 方法
【权利要求书】:

1.一种用于重新生成像素的方法,包括:第一步,将包括第一电极和第二电极的有机发光二极管排列在平台上,所述第一电极和所述第二电极形成于基板上,以将有机发光层置于所述第一电极和所述第二电极之间并使所述第一电极和所述第二电极彼此交叉;和

第二步,通过使用像素重新生成设备将激光照射到所述第一电极和所述第二电极之间的所述有机发光层中存在导电粒子的区域。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二步是将激光照射到存在所述导电粒子的区域并粉碎所述导电粒子或将所述导电粒子与所述第一电极或所述第二电极分离,从而允许除了具有所述导电粒子的区域之外的剩余的像素区发光。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二步是:直接将激光照射到所述导电粒子,并粉碎所述导电粒子本身或将所述导电粒子与所述电极分离。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二步是:将激光照射到具有所述导电粒子的区域的外围电极,切割电极,并将所述导电粒子与所述电极电隔离,使得执行正常操作。

5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第二步是:将激光照射为比所述导电粒子的尺寸大,并将所述导电粒子与所述有机发光层分离,使得像素正常操作。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中,所述像素重新生成设备照射的激光具有小于10ns的脉冲宽度。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述像素重新生成设备照射的激光在所述有机发光二极管不包括极化板的情况下具有超过300nm的波长,并且在所述有机发光二极管包括所述极化板的情况下具有超过420nm的波长。

8.一种用于如权利要求1-5中任一项所述的重新生成所述有机发光二极管的像素的方法的像素重新生成设备,该设备包括:激光振荡部件,用于使激光光束振荡;光束传输部件,用于转换由所述激光振荡部件照射的激光光束的方向,并将激光光束透射到有机发光二极管的有机发光层;光束尺寸控制部件,用于改变激光光束的尺寸;和图像部件,用于实时拍摄所述有机发光层的图像。

9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述光束尺寸控制部件包括:由马达驱动的狭缝;能够确认所述狭缝的尺寸和位置的狭缝照明光源;和改变由所述狭缝照明光源投射的光的路径的狭缝照明用镜。

10.根据权利要求8所述的设备,还包括:扫描器,用于扫描存在导电粒子的区域中的激光光束;和控制光束加工表面的装置,用于过滤激光光束,使得在加速区和减速区,被扫描激光光束不照射到所述有机发光层上。

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