[发明专利]光刻胶层去除方法及刻蚀装置

权利要求书

1.一种光刻胶层的去除方法，其特征在于，包括：

提供至少一个晶圆，在所述至少一个晶圆上形成有光刻胶层，所述光刻胶层作为离子注入时的掩膜，离子注入时，所述光刻胶中注入有高剂量离子；

对所述至少一个晶圆进行浸泡刻蚀，去除部分光刻胶层；

对所述至少一个晶圆中的一个晶圆进行单晶圆旋转刻蚀，去除剩余的光刻胶层。

2.如权利要求1所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述浸泡刻蚀采用的刻蚀溶液为硫酸和双氧水的混合溶液，或者硫酸和臭氧的混合溶液。

3.如权利要求2所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述浸泡刻蚀时，混合溶液的温度为100~150摄氏度，刻蚀时间为30秒~10分钟。

4.如权利要求2所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的混合溶液中，硫酸和双氧水的体积百分比为2:1~4:1。

5.如权利要求1所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述单晶圆旋转刻蚀采用的刻蚀溶液为硫酸和双氧水的混合溶液，或者硫酸和臭氧的混合溶液。

6.如权利要求5所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述单晶圆旋转刻蚀时，混合溶液的温度为150~220摄氏度，刻蚀时间为60秒~180秒。

7.如权利要求5所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的混合溶液中，硫酸和双氧水的体积百分比为2:1~4:1。

8.如权利要求1所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述高剂量离子注入的注入剂量大于等于5E14atoms/cm²。

9.如权利要求1所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，对所述晶圆进行单晶圆旋转刻蚀后，还包括：对所述晶圆进行清洗。

10.如权利要求1所述的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述浸泡刻蚀和单晶圆旋转刻蚀在同一刻蚀装置中进行。

11.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：

浸泡刻蚀腔，用于存储刻蚀溶液，并对放入刻蚀溶液中的至少一个晶圆上的待刻蚀材料进行刻蚀；

单晶圆旋转刻蚀腔，用于固定和使所述浸泡刻蚀腔处理后的至少一个晶圆中的一个晶圆水平旋转，并从所述晶圆上方喷洒刻蚀溶液，对晶圆上的待刻蚀材料进行刻蚀。

12.如权利要求11所述的刻蚀装置，其特征在于，所述浸泡刻蚀腔包括存储单元和第一加热单元，所述存储单元用于存储刻蚀溶液；所述第一加热单元用于对存储单元中的刻蚀溶液进行加热。

13.如权利要求11所述的刻蚀装置，其特征在于，所述单晶圆旋转刻蚀腔包括固定单元、喷洒单元，其中，所述固定单元用于固定晶圆，并使晶圆水平旋转；喷洒单元用于从晶圆上方喷洒刻蚀溶液到晶圆表面。

14.如权利要求13所述的刻蚀装置，其特征在于，所述单晶圆旋转刻蚀腔还包括第二加热单元，用于对喷洒单元中的刻蚀溶液进行加热。

15.如权利要求13所述的刻蚀装置，其特征在于，所述单晶圆旋转刻蚀腔还包括清洗单元，用于对刻蚀后的晶圆的表面和背面进行清洗。

16.如权利要求11所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括传输单元，用于在浸泡刻蚀腔和单晶圆旋转刻蚀腔之间传送晶圆。

17.如权利要求12或13所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括供应单元，用于向存储单元和喷洒单元供应刻蚀溶液。

18.如权利要求11所述的刻蚀装置，其特征在于，所述浸泡刻蚀腔对多个晶圆同时进行刻蚀。