[发明专利]一种复合陶瓷基板封装的白光LED及其制备方法

权利要求书

1. 一种复合陶瓷基板封装的白光LED，包括散热基板、LED芯片、金丝连线、荧光粉和硅胶，其特征在于，所述散热基板采用复合陶瓷基板，该复合陶瓷基板由含有60-95%摩尔的纳米基质陶瓷和5-40%摩尔的纳米添加陶瓷经烧结制成，并在其表面实施陶瓷金属化。

2. 根据权利要求1所述的白光LED，其特征在于，所述纳米基质陶瓷是纳米氧化铝或纳米氮化铝，所述纳米添加陶瓷是纳米碳化硅、纳米氮化铝、碳纳米线或纳米氧化银。

3. 根据权利要求2所述的白光LED，其特征在于，所述复合陶瓷基板由5-40%摩尔的纳米碳化硅添加入60-95%摩尔的纳米氧化铝组成，或者由5-40%摩尔的纳米氮化铝添加入60-95%摩尔的纳米氧化铝组成，可或者由5-40%摩尔的碳纳米线添加入60-95%摩尔的纳米氧化铝组成，或者由5-40%摩尔的碳纳米线添加入60-95%摩尔的纳米氮化铝组成，或者由5-40%摩尔的纳米氧化银添加入60-95%摩尔的纳米氧化铝组成。

4. 根据权利要求2所述的白光LED，其特征在于，所述纳米基质陶瓷和纳米添加陶瓷的晶体形态是纳米颗粒或纳米晶须。

5. 根据权利要求2所述的白光LED，其特征在于，所述纳米基质陶瓷的纳米颗粒粒径为10-1000nm，纳米添加陶瓷的纳米颗粒径粒为10-500nm；纳米添加陶瓷的纳米晶须的直径为10-500nm，长度为1-50μm。

6.一种如权利要求1所述的白光LED的制备方法，其特征在于具体步骤包括两个阶段：制作复合陶瓷基板和封装白光LED；

I. 制作纳米复合陶瓷板，包括纳米复合陶瓷粉末均匀化，复合陶瓷粉末烧结成型化，基板表面金属化，铜膜或铜/银双层膜线路化四个步骤：

(1) 纳米复合陶瓷粉末均匀化，利用湿法球磨法，将混合陶瓷粉料搅拌均匀后装入球磨机球磨罐中球磨均匀化；

(2) 复合陶瓷粉末烧结成型化，利用等静压制作生坯，生坯高温烧结成型，其步骤是从上述球磨罐中取出陶瓷粉末，装入模具，并在模具中等静压成型制成生坯料，等静压压强为50-300MPa；模具退模，生坯料取出；高温氮气氛围常压或热压烧结，烧结温度为1600-1800 oC；陶瓷片表面抛光；

(3)复合基板表面金属化，采取共晶焊法或溅射覆铜法，所述共晶焊法，包括铜箔在陶瓷表面压延；压延后烧结，烧结温度900-1100 oC得到铜膜，厚度为1-10μm；所述溅射覆铜法按射频溅射法溅射铜膜在陶瓷基片上，铜膜厚度0.2-2μm，或者在上述溅射铜膜上再溅射一层银膜，银膜厚度20-200nm；

(4)铜膜，或铜/银双层膜线路化，利用湿法刻蚀工艺刻蚀铜膜，或铜/银双层膜电气线路，电气线路的参数和图案按单颗粒LED芯片封装和多颗粒芯片封装要求具体确定；

II. 封装白光LED

利用COB封装工艺单颗粒封装或多芯片集成封装制作白光LED。