[发明专利]一种高温超导涂层导体缓冲层Gd1-xPbxBiO3及其制备方法有效
| 申请号： | 201210149549.8 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102701728A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张欣;赵勇;程翠华;张勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 张澎 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 超导 涂层 导体 缓冲 gd sub pb bio 及其 制备 方法 | ||
1.一种制备高温超导涂层导体Gd1-xPbxBiO3缓冲层的方法，其中Gd1-xCaxBiO3缓冲层是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xPbxBiO3固溶体，其中0.1≤x≤0.2；其制备方法包含以下步骤：
a、胶体制备：将前驱物Gd，Pb，Bi的硝酸盐按金属阳离子比Gd∶Pb∶Bi＝1-x∶x∶1的比例溶于适量的聚丙烯酸中，其中0.1≤x≤0.2，最终溶液总的摩尔浓度约为0.2mol/L；
b、胶体涂敷与干燥及热分解处理：将a步制得的胶体涂覆在基片上，再进行干燥；干燥后进行烧结前在空气中的热分解处理：将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中，使炉温从室温缓慢升至110℃-130℃，并以0.1-2℃/min的速度升至在280℃-300℃，再以0.1-1℃/min的速度升至510℃-530℃，保温0.5小时，以使得烧结形成的涂层更平整，更致密；
c、烧结成相：将涂覆有胶体的基片干燥后，再放入烧结炉中烧结成相，最终得到Gd1-xPbxBiO3缓冲层，具体作法为：在空气中将炉温快速以10-100℃/min的速度升至800℃-820℃，保温40-60分钟；再让炉温缓慢降至室温。
2.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体Gd1-xPbxBiO3缓冲层的方法，其特征是：所述b步中，胶体涂覆在基片上的具体作法为：将胶体滴在基片上，用匀胶机旋转，使胶体均匀涂敷在基片上。
3.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体Gd1-xPbxBiO3缓冲层的方法，其特征是：所述b步中干燥时的温度为100℃-120℃干燥。
4.一种高温超导涂层导体Gd1-xPbxBiO3缓冲层，其特征在于采用以上权利要求或1或2或3之方法制得，所述超导涂层导体Gd1-xPbxBiO3缓冲层是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xPbxBiO3固溶体，其中0.1≤x≤0.2。
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