[发明专利]一种还原炉微漏检测方法有效

专利信息
申请号: 201210149798.7 申请日: 2012-05-15
公开(公告)号: CN102661837A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 朱勤华;周欣;樊少冬;张建庆 申请(专利权)人: 新疆大全新能源有限公司
主分类号: G01M3/26 分类号: G01M3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 832012 新疆维吾尔自*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 还原 漏检 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及工业生产领域,更具体的说,是涉及一种还原炉微漏检测方法。

背景技术

还原炉被广泛应用在各种工业领域中,如化工领域,多晶硅制造领域等。还原炉的生产过程,是一个全自动,全封闭流程的一个反应过程,其反应气体主要包括TCS、H2等。而TCS为具有刺激性气味、在空气中极易燃烧、遇明火则强烈燃烧、燃烧时发出红色火焰和白烟的气体。H2和TCS都是爆炸性气体,一旦泄漏到还原炉厂房中,会造成还原炉操作车间的人身安全。

现有技术中是通过肥皂水检测法对还原炉进行检测,其中,肥皂水检测法是将肥皂水涂到还原炉的连接处,查看有无气泡产生,有气泡则说明还原炉漏气,没有气泡则说明还原炉不漏气,但这种方法需要检测人员认真仔细的检查每处连接阀门,工作量较大。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种还原炉微漏检测方法,以克服现有技术中需要检测人员认真仔细的检查每处连接阀门,工作量较大的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种还原炉微漏检测方法,包括:

A:对待检测还原炉冲入使所述待检测还原炉达到第一预设压力值的气体;

B:检测当所述还原炉达到第一预设压力值时的该还原炉的实际压力值;

C:比较所述第一预设压力值与所述实际压力值的大小,若所述第一预设压力值与所述实际压力值的差值大于第二预设值,则判定所述待检测还原炉漏气。

优选的,所述第一预设压力值为所述待检测还原炉的正常操作压力值。

优选的,步骤A具体为:

通过DCS系统打开进料阀门,将N2冲入待检测还原炉,直到所述待检测还原炉达到第一预设压力值时,停止冲入气体。

优选的,所述第二预设压力值为0.01Bar。

优选的,在步骤C后还包括步骤D:

在判定所述待检测还原炉漏气时,启动报警装置。

优选的,所述报警装置为声音报警器和/或LED指示灯。

经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明提供了一种还原炉微漏检测方法,通过对待检测还原炉冲入预设压力值的气体;并检测当前还原炉的实际压力值;比较预设压力值与实际压力值的大小,当所述预设压力值与所述实际压力值的差值大于某设定压力差值时,则判定所述待检测还原炉漏气。本发明提供的还原炉微漏检测方法准确有效的检测了还原炉是否漏气,操作简单并节省了大量的人力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种还原炉的生产过程图;

图2为本发明实施例提供的一种还原炉微漏检测方法的流程图。

具体实施方式

为了引用和清楚起见,下文中使用的技术名词的说明、简写或缩写总结如下:

TSC是SiHCL3(三氯化硅)的缩写。

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

请参阅附图1,为现有技术中的一种还原炉的生产过程图,在还原炉反应过程中,TCS、H2阀门处于打开状态,N2阀门处于关闭状态;尾气系统,尾气回收阀门处于打开状态,含氢尾气与不含氢尾气都处于关闭状态。因此,还原炉在反应过程中,不仅要严防反应气体的外漏,还要严防反应气体的内漏,一旦反应气体泄漏到含氢或不含氢尾气中,不仅会带来生产物的浪费,而且可能会产生爆炸,由于还原炉中的氢气进入三废处理后与氧气产生爆炸。还需要严防其他不需要反应的气体进入到还原炉,影响多晶硅产品的质量。

在还原炉正式反应前,需要对还原炉做严格的气密试验,防止还原炉产生微漏,从而确保还原炉安全、可靠稳定的运行。

现有技术中是通过肥皂水检测法对还原炉进行检测,其中,肥皂水检测法是将肥皂水涂到还原炉的连接处,查看有无气泡产生,有气泡则说明还原炉漏气,没有气泡则说明还原炉不漏气,但这种方法需要检测人员认真仔细的检查每处连接阀门,工作量较大。

实施例一

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