[发明专利]堆叠半导体封装体无效
申请号: | 201210150205.9 | 申请日: | 2012-05-15 |
公开(公告)号: | CN102790041A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 南宗铉 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 半导体 封装 | ||
1.一种堆叠半导体封装体,包括:
基板,具有上表面和下表面,且包括第一区和第二区,该第一区邻接该第二区;
支撑构件,形成于该基板的上表面上的该第二区中;以及
半导体芯片模块,包括多个半导体芯片,每个该半导体芯片在邻近其第一表面的一个边缘处具有接合垫,并且该多个半导体芯片以台阶状形状堆叠于该支撑构件上使得该多个半导体芯片的接合垫面对该第一区,且该多个半导体芯片弯曲使得该接合垫与该基板电性连接。
2.如权利要求1所述的堆叠半导体封装体,其中该基板还具有形成于该第一区中的该上表面上的多个连接垫,使得该连接垫分别连接该半导体芯片的该接合垫。
3.如权利要求2所述的堆叠半导体封装体,其中该基板还具有限定于该第一区中的该上表面上的多个沟槽,使得该沟槽分别对应于该连接垫,且各个该连接垫设置在对应的沟槽的底部。
4.如权利要求2所述的堆叠半导体封装体,其中该基板还具有限定于该第一区中的该上表面上的多个沟槽,使得每个该沟槽对应于几个连接垫,且各个该连接垫设置于彼此分离的沟槽的底部。
5.如权利要求2所述的堆叠半导体封装体,还包括:
连接构件,电性连接该半导体芯片的该接合垫及该基板的该连接垫。
6.如权利要求1所述的堆叠半导体封装体,其中该基板还具有多个连接垫,该多个连接垫形成于该第一区中的该上表面上,使得每个连接垫与各个该半导体芯片的该接合垫相连接。
7.如权利要求6所述的堆叠半导体封装体,其中该基板具有限定于该第一区中的该上表面上的多个沟槽,使得该沟槽对应于该连接垫,且该连接垫设置于该沟槽的底部。
8.如权利要求6所述的堆叠半导体封装体,还包括:
多个连接构件,电性连接该半导体芯片的该接合垫与该基板的该连接垫。
9.如权利要求8所述的堆叠半导体封装体,其中该连接构件形成为彼此分离,使得该连接构件分别对应于该半导体芯片的该接合垫。
10.如权利要求8所述的堆叠半导体封装体,其中该连接构件连续地形成,使得每个连接构件对应于各个该半导体芯片的该接合垫。
11.如权利要求1所述的堆叠半导体封装体,还包括:
固定构件,形成于各个该半导体芯片的第二表面上以固定该弯曲的半导体芯片,各个该半导体芯片的该第二表面背对各个该半导体芯片的该第一表面。
12.如权利要求1所述的堆叠半导体封装体,其中该支撑构件包括虚设晶片、玻璃基板、间隔体带、及阻焊剂中的任一种。
13.如权利要求1所述的堆叠半导体封装体,其中该支撑构件包括附加的半导体芯片。
14.如权利要求13所述的堆叠半导体封装体,其中该附加的半导体芯片的厚度不同于该半导体芯片的厚度。
15.如权利要求13所述的堆叠半导体封装体,其中该基板具有连接垫,该连接垫形成于该第二区中的该上表面上且与该附加的半导体芯片电性连接。
16.如权利要求15所述的堆叠半导体封装体,其中该基板具有支撑该附加的半导体芯片的突出部,该附加的半导体芯片位于该连接垫之外的该第二区中的该上表面上。
17.如权利要求15所述的堆叠半导体封装体,还包括:
附加的支撑构件,形成于该连接垫之外的该基板的该第二区中的该上表面上,且支撑该附加的半导体芯片。
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