[发明专利]铁电薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种铁电薄膜的制造方法，是在具有基板主体和晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，涂布并预烧铁电薄膜形成用组合物之后，进行烧结使其结晶，从而在所述下部电极上制造铁电薄膜的方法，其特征在于，

在所述下部电极上涂布、预烧、烧结所述铁电薄膜形成用组合物形成取向控制层，以所述取向控制层的结晶后的层厚在35nm～150nm的范围内的方式设定所述铁电薄膜形成用组合物的涂布量，并使所述取向控制层的择优晶体取向为（100）面。

2.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，用于形成所述取向控制层的预烧温度在150℃～200℃或者285℃～315℃的范围内。

3.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，在形成所述取向控制层之前，在所述下部电极上形成晶体粒径控制层，在所述晶体粒径控制层之上形成所述取向控制层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，在形成所述取向控制层之后，进一步具有：在所述取向控制层上涂布所述铁电薄膜形成用组合物，进行预烧、烧结形成具有与所述取向控制层的晶体取向相同的晶体取向的膜厚调整层的工序。

5.根据权利要求4所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，在形成所述膜厚调整层的工序中，所述预烧温度在200℃～450℃的范围内。

6.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，所述铁电薄膜为含Pb钙钛矿型氧化物，所述铁电薄膜形成用组合物包含β－二酮类以及多元醇类。

7.根据权利要求6所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，所述β－二酮类为乙酰丙酮，所述多元醇类为丙二醇。

8.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，所述基板为硅基板或者蓝宝石基板。

9.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，所述下部电极包括选自Pt、Ir和Ru中的至少一种金属。

10.根据权利要求3所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，所述晶体粒径控制层包括选自钛酸铅、锆钛酸铅、锆酸铅中的至少一种化合物。

11.根据权利要求4所述的铁电薄膜的制造方法，其特征在于，在形成所述膜厚调整层的工序中，将进行多次所述铁电薄膜形成用组合物的涂布和预烧之后再进行烧结的工序至少进行一次。

12.一种通过权利要求1至11中任一项所述的方法制造的晶体取向择优为（100）面的铁电薄膜。

13.一种具有权利要求12所述的铁电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储器用电容器、层压电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电红外线检测元件、压电元件、光电元件、致动器、谐振器、超声波马达、或者LC噪声过滤器元件的复合电子部件。