[发明专利]钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜，其特征在于，其化学式为Al₂O₃:xTi⁴⁺，yMg²⁺，其中，氧化铝是基质，钛元素和镁元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。

2.根据权利要求1所述的钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜，其特征在于，所述钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的厚度为80nm～300nm。

3.一种钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气流的载体，根据Al₂O₃:xTi⁴⁺，yMg²⁺各元素的化学计量比将三乙基铝、四异丙醇钛和二茂镁通入反应室内；及

通入氧气，进行化学气相沉积得到化学式为Al₂O₃:xTi⁴⁺，yMg²⁺的钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜，其中，氧化铝是基质，钛元素和镁元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。

4.根据权利要求3所述的钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述三乙基铝、四异丙醇钛和二茂镁摩尔比为1∶(0.01～0.08)∶(0～0.06)。

5.根据权利要求3所述的钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5～15sccm，所述氧气气流量为10～200sccm。

6.根据权利要求3所述的钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后将所述衬底在600℃～800℃下热处理10分钟～30分钟。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜，该钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的化学式为Al₂O₃:xTi⁴⁺，yMg²⁺，其中，氧化铝是基质，钛元素和镁元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。

8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。

9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的薄膜为钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜，该钛镁共掺杂氧化铝发光薄膜的化学式为Al₂O₃:xTi⁴⁺，yMg²⁺，其中，氧化铝是基质，钛元素和镁元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06；

在所述发光层上形成阴极。

10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤：

将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气流作为载体，根据Al₂O₃:xTi⁴⁺，yMg²⁺各元素的化学计量比将三乙基铝、四异丙醇钛和二茂镁通入反应室内，其中，氩气气流量为5～15sccm，然后通入氧气，氧气气流量为10～200sccm；沉积薄膜在所述阳极上形成发光层。