[发明专利]采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法

权利要求书

1.一种采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，采用金属有机化合物气相外延方法，通过在n-GaN和InGaN有源层之间引入非对称的渐变In组分的电子注入层，改善电流扩展，提高LED发光效率，使用三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，硅烷作为n型掺杂源，二茂镁作为p型掺杂源，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石AllO3衬底在氢气气氛下，1040～1200℃处理5分钟，然后降低温度，在530～550℃，反应室压力 500 torr，在氢气气氛下，三维生长20～30 纳米的GaN缓冲层，再在1000～1500℃下生长2～4微米厚n-GaN层； 

步骤二、在氮气气氛下，在750～850℃下生长n型非对称In组分渐变的电子注入层，接着生长5～10周期In_xGa_1-xN/GaN多量子阱有源区，其中0.01≤x≤0.3，电子注入层中最大In组分小于有源区中In组分；

步骤三、在氢气氛下，在950～1040℃生长p型AlGaN电子阻挡层和p-GaN层。

2.根据权利要求1所述的采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，其特征在于：所述n型非对称In组分渐变的电子注入层是n-InGaN，所述n型n-InGaN电子注入层是在n-GaN和In_xGa_1-xN/GaN有源区之间，In组分从随n-InGaN生长厚度增加线性增加的；

所述n型插入层中最高In组分小于In_xGa_1-xN/GaN多量子阱有源区的In组分x，所述n型插入层厚度是10～100nm。

3.根据权利要求1所述的采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，其特征在于：所述n型非对称In组分渐变的电子注入层是n-InGaN/GaN 超晶格，所述n-InGaN/GaN超晶格插入层是在n-GaN和有源区之间，其中超晶格阱层In组分随超晶格周期的增加是线性增加的；所述n型插入层中最高In组分小于In_xGa_1-xN/GaN多量子阱有源区的In组分x，所述n型超晶格周期数1～20。

4.根据权利要求1所述的采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，其特征在于：所述n型非对称In组分渐变的电子注入层是n-InGaN/InGaN 超晶格；所述InGaN/InGaN超晶格插入层是是在n-GaN和有源区之间，超晶格垒层In组分小于阱层In组分，超晶格阱层In组分随超晶格周期的增加而线性增加，所述n型插入层中最高In组分小于In_xGa_1-xN/GaN多量子阱有源区的In组分x， 所述n型超晶格周期数1～20。