[发明专利]TiMoN硬质纳米结构薄膜及制备方法无效

专利信息
申请号: 201210151582.4 申请日: 2012-05-15
公开(公告)号: CN102650030A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 许俊华;喻利花;鞠宏博 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: C23C14/00 分类号: C23C14/00;C23C14/34;C23C14/06
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: timon 硬质 纳米 结构 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种TiMoN硬质纳米结构薄膜,薄膜采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上制备得到,其特征在于,所述的薄膜分子式表示为(TixMo1-x)N,其中x=25.67~70.13at.﹪,薄膜厚度在2-3μm,薄膜最高硬度为36.37GPa,干切削实验下,最低摩擦系数为0.3917,最低磨损率为1.270×10-8mm3/Nmm。

2.根据权利要求1所述的TiMoN硬质纳米结构薄膜,其特征在于,薄膜Mo的相对含量1-x为29.87~74.33at.%。

3.制备权利要求1所述的TiMoN硬质纳米结构薄膜的方法,其特征在于,利用双靶共焦射频反应溅射法在硬质合金或陶瓷基体上沉积TiMoN硬质纳米结构薄膜,沉积时,真空度为<6.0×10-4Pa,以氩气起弧,氮气为反应气进行沉积。

4.根据权利要求3所述的制备TiMoN硬质纳米结构薄膜的方法,其特征在于,在基体上先沉积200nm的Ti为过渡层。

5.根据权利要求3所述的制备TiMoN硬质纳米结构薄膜的方法,其特征在于,基体温度按需要设定,从室温到200℃,溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10/3,Ti靶溅射功率250W,Mo靶溅射功率为30~250W。

6.根据权利要求5所述的制备TiMoN硬质纳米结构薄膜的方法,其特征在于,Ti靶功率250W,Mo靶功率150W。

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