[发明专利]PVDF-g-PVP接枝共聚物的制备方法及所得的接枝共聚物有效
| 申请号： | 201210151999.0 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102675546A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 侯铮迟;秦强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C08F259/08 | 分类号： | C08F259/08;C08F2/46 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 钟华;徐颖 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pvdf pvp 接枝 共聚物 制备 方法 所得 | ||
1.一种PVDF-g-PVP接枝共聚物的制备方法，其包含下述步骤：在无氧条件下，在包含N-乙烯基吡咯烷酮单体和聚偏氟乙烯的均相溶液中，进行N-乙烯基吡咯烷酮单体与聚偏氟乙烯的共辐射接枝反应，即得；所述均相溶液的溶剂为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯的重均分子量为500000～600000。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯为苏威化学公司生产的型号为6020的聚偏氟乙烯。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯与N-乙烯基吡咯烷酮单体的重量比为10∶1-10∶9。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的N-乙烯基吡咯烷酮单体在所述均相溶液中的浓度为1-9wt％。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的共辐射接枝的辐射源为γ射线辐射源，较佳地为60Co。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的共辐射的辐射总剂量为5-38kGy；所述的共辐射的平均剂量率为0.65-5.00kGy/h。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的共辐射接枝的反应温度为20-30℃。
9.一种由权利要求1～8中任一项所述的方法制得的PVDF-g-PVP接枝共聚物。
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