[发明专利]一种用于抑制癌细胞增殖的苯基修饰材料

权利要求书

1.一种制备苯基修饰材料的方法，包括下述步骤：

1）以含苯基的硫醇为溶质、无水乙醇为溶剂，制备质量浓度为0.8～1.5%的硫醇溶液，并于3～8℃静置4～24h；其中，所述含苯基的硫醇，其分子式为C₆H₆(CH₂)_nSH，n为正整数；

2）在单晶硅片表面生长钛过渡层，再在所述钛过渡层上生长金层，得到镀金硅片；

3）在避光条件下，将步骤2)所述镀金硅片放入步骤1）制备的硫醇溶液中，静置4～24h，即得所述苯基修饰材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2）中所述单晶硅片的厚度为0.5～1mm；所述钛过渡层的厚度为8～12nm；所述金层的厚度为30～50nm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤2）中所述单晶硅片为单晶硅<100>；所述金层为金<111>。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：步骤1）在制备硫醇溶液的过程中需要避光溶解；步骤2）中所述生长钛过渡层的方法以及生长金层的方法选自下述任意一种：等离子溅射法、磁控溅射法和分子束外延生长法。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于：步骤2）中所述单晶硅片在使用前还需进行下述清洁处理：将所述单晶硅片在浓硫酸和双氧水体积比为3∶1的混合液中清洗2次，再用三蒸水清洗3次，氮气环境下烘干；所述浓硫酸的质量浓度为98%，所述双氧水的质量浓度为50%。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于：所述方法还包括步骤3）前对步骤2）得到的镀金硅片进行下述处理的步骤：将所述镀金硅片在浓硫酸和双氧水体积比为3∶1的混合液中清洗2次，再用三蒸水清洗3次，氮气环境下烘干；所述浓硫酸的质量浓度为98%，所述双氧水的质量浓度为50%。

7.权利要求1-6中任一项所述方法制备得到的苯基修饰材料。

8.根据权利要求7所述的苯基修饰材料，其特征在于：所述苯基修饰材料与水的接触角为101°～105°；所述苯基修饰材料中的硫醇分子在金表面排列的间距为5～6nm。

9.权利要求7或8所述的苯基修饰材料在下述1）-5）中的应用：1）在制备抑制癌细胞的增殖和/或黏附和/或迁移的产品中的应用；2）在制备促进乳腺癌细胞内雌激素受体2基因表达的产品中的应用；3）在制备抑制乳腺癌细胞内迁移、增殖相关基因表达的产品中的应用；4）在制备抗癌产品中的应用；5）在预防和/或治疗癌症相关研究中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述癌细胞为乳腺癌细胞，所述癌为乳腺癌。