[发明专利]有机EL 显示器的修复方法有效
申请号: | 201210152424.0 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN102790011A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 宫泽和利 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贾静环 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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相关申请
本申请基于2011年5月17日申请的日本特愿2011-109991而主张优先权。该申请说明书中所记载的内容全部被引用于本申请说明书。
技术领域
本发明涉及一种有机EL显示器的修复方法。尤其是涉及一种在有机EL显示器的制造工序中,在制造工序中在像素电极中混入异物或在像素电极的表面附着异物时,对因该异物引起的产生短路的缺陷进行修复的有机EL显示器的修复方法。
背景技术
近年来,利用了有机EL元件的自发光型的有机EL显示器作为新一代显示器备受期待。有机EL显示器为自发光方式,显示明亮鲜明的图像。因此,具有视角广阔、应答性高等优异的特征。另外,由于不需要背光源,因此具有薄膜化简单的优点。因此,有望在将来利用于大画面TV等。
构成有机EL显示器的有机EL元件形成于TFT基板上的绝缘膜的表面。所述有机EL元件具有配置于绝缘膜上的像素电极、配置于像素电极上的含有荧光分子的有机功能层和配置于有机功能层上的对置电极。
近年来,伴随有机EL显示器的大型化、高精细化,在TFT基板上的绝缘膜上形成像素电极时,在像素电极内混入异物的概率变高。如果在像素电极内混入异物,则在像素电极上形成有机功能层和对置电极时,像素电极和对置电极经由异物电连接。因此,在流过电流时,因异物而引起短路。如果引起短路,则在该像素电极上的有机功能层中不会流过电流。因此,有机功能层不发光,混入了异物的像素成为缺陷像素。另外,由于短路,未能有助于发光的更多的电流在像素电极和对置电极之间流过。因此,有机EL元件的发光效率降低。
因此,提出有各种各样的方法,所述方法在电极等中混入异物时,除去该异物而对像素电极及有机功能层进行修复。(例如,参照专利文献1、2)。
专利文献1的修复方法如图9所示。专利文献1公开了使旋转工具4与附着有异物2的电极垫1接触来除去所述异物的方法。旋转工具4在前端的表面具有粗糙化而成的研磨面3。另外,在专利文献1中提出了一边从设置于旋转工具前端的研磨材料射出口喷射研磨液,一边还用研磨液对电极垫进行研磨,除去异物的方案。
专利文献2的修复方法如图10所示。在专利文献2中公开了由激光振荡器6用激光7照射混入有机EL元件的有机层5的异物2,将异物2和其周围的有机层一起除去,由此,修复像素。激光7根据异物的尺寸,用物镜8等集中后,对异物2进行照射。
除此之外,已知有如下方法:对异物的周围照射激光等高能射线而电隔离异物的方法(例如,参照专利文献3~5);使用粘合剂剥离含有异物的像素的有机功能层,向该像素补充有机功能层的材料油墨的方法(例如,参照专利文献6);使像素中的异物附着在胶带上,通过剥离胶带从像素中除去异物的方法(例如,专利文献7参照);以及在有机发光层中的异物上进一步形成有机发光层或绝缘层的方法(例如,参照专利文献8)。
专利文献:
专利文献1:日本特开平4-367295号公报
专利文献2:日本特开2004-119243号公报
专利文献3:日本特开2004-227852号公报
专利文献4:美国专利申请公开第2004/0202777号说明书
专利文献5:美国专利申请公开第2004/0082252号说明书
专利文献6:日本特开2011-48984号公报
专利文献7:美国专利第5902678号说明书
专利文献8:日本特开2011-48984号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,如图11所示,专利文献1的方法通过使所述旋转工具与电极垫接触来除去异物,因此,机械地破坏异物。由此,有可能在原先存在异物的场所10的周围,在电极垫上以残渣的形式残留由研磨而产生的异物的加工片9。
如果研磨后在像素电极上有加工片的残渣时,则该加工片成为异物,导致像素的缺陷。另外,通过研磨,有时会损伤像素电极的表面,像素电极的反射面变粗糙。如果在像素电极上有损伤,则在使有机功能层发光时,像素电极上的光的反射效率低下引起像素的亮度降低。在使用了研磨液的情况下,研磨液本身对像素电极产生影响,有可能降低电阻值等电极性能。另外,有机EL显示器的像素电极的大小非常小,因此,难以应用前端具有研磨面的旋转工具。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造