[发明专利]薄膜晶体管和显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；

栅极绝缘层图案，位于所述有源层的一部分上；

栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；

抗刻蚀层图案，形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极，所述抗刻蚀层图案与所述栅极绝缘层图案共边界；

源电极和漏电极，位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上；以及

吸杂层图案，位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间，以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂，所述吸杂层图案与所述源电极和所述漏电极共边界。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述金属催化剂包括镍，并且所述吸杂层图案包括钛。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中

所述有源层的由所述栅电极叠盖的区域是沟道区，并且

所述有源层的在所述沟道区两边的且接触所述源电极和所述漏电极的区域分别是源区和漏区。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述抗刻蚀层图案具有与所述吸杂层图案的刻蚀选择比、所述源电极的刻蚀选择比和所述漏电极的刻蚀选择比不同的刻蚀选择比。

5.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

制备基板；

在所述基板上形成非晶硅层；

在所述非晶硅层上面或下面施加金属催化剂；

通过藉由由所述金属催化剂的作用引起的晶体生长将所述非晶硅层结晶，形成多晶硅层；

通过对所述多晶硅层进行图案化，形成有源层；

在所述有源层的一部分上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的一部分上形成栅电极；

形成覆盖所述栅极绝缘层和所述栅电极的抗刻蚀层；

通过对所述栅极绝缘层和所述抗刻蚀层一起进行图案化，形成彼此共边界的栅极绝缘层图案和抗刻蚀层图案；

在所述有源层和所述抗刻蚀层图案上形成吸杂层；

在所述吸杂层上形成源极-漏极金属层；以及

通过对所述吸杂层和所述源极-漏极金属层一起进行图案化，形成源电极、漏电极和吸杂层图案。

6.根据权利要求5所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述金属催化剂包括镍，所述吸杂层图案包括钛。

7.根据权利要求5所述的制造薄膜晶体管的方法，进一步包括：通过使用所述栅电极作为掩膜用杂质掺杂所述有源层，将所述有源层与所述栅电极重叠的区域形成为沟道区，并且在所述沟道区两边形成分别接触所述源电极和所述漏电极的源区和漏区。

8.根据权利要求5所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述抗刻蚀层图案具有与所述吸杂层的刻蚀选择比、所述源电极的刻蚀选择比和所述漏电极的刻蚀选择比不同的刻蚀选择比。

9.一种显示装置，包括：

有源层，位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶；

栅极绝缘层图案，位于所述有源层的一部分上；

栅电极，位于所述栅极绝缘层图案的一部分上；

抗刻蚀层图案，形成有与所述栅极绝缘层图案相同的图案，所述抗刻蚀层图案形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极；

源电极和漏电极，位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上；以及

吸杂层图案，位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间，以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂，所述吸杂层图案具有分别与所述源电极的图案和所述漏电极的图案相同的图案。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述金属催化剂包括镍，所述吸杂层图案包括钛。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中

所述有源层的由所述栅电极叠盖的区域是沟道区，并且

所述沟道区两边的分别接触所述源电极和所述漏电极的区域是源区和漏区。

12.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括：有机发光二极管，位于所述基板上并且与所述漏电极连接。