[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，本发明还涉及一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。

背景技术

静电释放（ESD）保护在集成电路中有着非常重要的作用。集成电路是非常精密的产品，大规模集成电路为了降低功耗和提高集成度，工作电压的变化趋势是一直在降低。但集成电路所处的外部环境，如干燥的气候、与人体接触等，会导致集成电路模块上聚集一些静电，这些静电会在短时间产生上千伏特的高电压。这种情况下，如果这个电压没有得到合适的释放，电路本身将会被烧毁，导致电路甚至系统失效。ESD保护正是起着这种保护作用。

ESD电路通常有特殊设计的ESD器件构成。对ESD器件的关键要求就是这个ESD器件的击穿电压要比所要保护的器件的工作电压高，但又比所要保护的器件的击穿电压要低。为了实现ESD器件的击穿电压的要求，ESD器件的源漏注入的条件和所要保护的器件的源漏注入的条件是不同的，故通常会采用一道额外的光罩，在ESD器件的源漏区域进行一道额外的离子注入，来降低ESD器件的击穿电压即使ESD器件的击穿电压降低到小于所要保护的器件的击穿电压。所以ESD器件的源漏注入不能和所要保护的器件的源漏注入集成在一起进行，这需要额外的成本并且增加了集成电路制造的复杂度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。为此，本发明还提供一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的RFLDMOS工艺中的ESD器件为NMOS器件，包括：形成于P阱之上的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅介质层。在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成侧墙。在所述多晶硅栅两侧的所述P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘对准；所述N型源漏注入区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深。在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述P阱中形成有用于降低所述ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，所述第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于所述N型源漏注入区的结深、所述第二P型轻掺杂漏注入区穿过所述N型源漏注入区并进入到所述N型源漏注入区底部的所述P阱中。所述第二P型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘相隔一横向距离。

进一步的改进是，所述第二P型轻掺杂漏注入区的工艺条件和所述RFLDMOS工艺中的P型LDMOS的漏端的第二P型轻掺杂漏注入区的工艺条件相同。

进一步的改进是，所述N型轻掺杂漏注入区的工艺条件和所述RFLDMOS工艺中的N型LDMOS的源端的N型轻掺杂漏注入区的工艺条件相同；所述N型源漏注入区的工艺条件和所述RFLDMOS工艺中的N型LDMOS的N型源漏注入区的工艺条件相同。

进一步的改进是，所述第二P型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘相隔的横向距离为0.5微米～1.5微米。

为解决上述技术问题，本发明提供一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法，在P阱之上形成栅介质层和多晶硅栅之后，包括如下步骤：

步骤一、进行N型轻掺杂漏注入，在所述多晶硅栅两侧的所述P阱中形成N型轻掺杂漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准。

步骤二、进行第二P型轻掺杂漏注入，在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述P阱中形成第二P型轻掺杂漏注入区。所述第二P型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘相隔一横向距离。

步骤三、在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成侧墙。

步骤四、进行N型源漏注入，在所述多晶硅栅两侧的所述P阱中形成N型源漏注入区，所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘对准；所述N型源漏注入区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深，所述第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于所述N型源漏注入区的结深、所述第二P型轻掺杂漏注入区穿过所述N型源漏注入区并进入到所述N型源漏注入区底部的所述P阱中。

进一步的改进是，步骤一中所述N型轻掺杂漏注入的工艺条件和所述RFLDMOS工艺中的N型LDMOS的源端的N型轻掺杂漏注入的工艺条件相同。