[发明专利]一种用于真空处理装置的载置台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备，尤其涉及一种用于真空处理装置的载置台。

背景技术

在半导体制程中，各种制程很大程度上依赖基片的温度。因此，对基片的温度控制是半导体制程中非常重要的一环，而由于基片具有一定尺寸，能够对基片的温度进行均匀控制更是至关重要的。

基片温度控制对于金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器尤为重要。MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

在现有工艺中，MOCVD机台的载置台真空处理装置通常由基座以及位于基座下方并驱动基座转动的转轴，转轴通过自转带动上方的基座一起转动，其中，现有技术的由转轴带动基座的转动机制主要有两种：

根据其中一种转动机制基座是靠转轴和基座之间的摩擦力来获得动力转动的，但是基座和转轴不可避免地会出现相对位移。本领域技术人员应当理解，在MOCVD机台中一般还会在基座上放置有若干基片，因此需要设定一个基片定位系统用于确定基片的准确位置。由于在这种转动机制中，基座和转轴会不可避免地出现相对位移，而基片定位系统又是以转轴的转动角度来确定基片的位置的，因此会导致基片定位不准确，影响制程。

因此，现有技术又提出了另外一种转动机制，在基座和转轴之间设定一个很小的连接装置，将两者固定起来，这样就避免了基座和转轴之间的相对位移。然而，虽然基座与转轴可以实现同步转动，但是由于MOCVD机台的转轴转动速度非常快，有时甚至达到1000转/分以上，当转轴因断电而急停时，上方的基座也将跟随转轴而急停，由于连接装置非常小且相对脆弱，原本放置于基座上的处理基板由于惯性的作用而飞出基座，并且基座的急停也大大增加的基座与转轴之间的磨损，会导致设备和基片的损坏。

因此，业内需要一种新型的转轴和基座的转动机制，既能够满足转轴和基座的同步转动，又能够避免由于急停而导致的设备或基片的损坏。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种真空处理装置的载置台，使转轴既能在正常运行时与上方的基座之间完全同步，又能在急停时上方的基座仍然能够继续转动，并缓慢停止，从而解决了现有技术中的不足。

根据本发明的一个方面，提供一种真空处理装置的载置台，包括基座和转轴，基座的下表面中心设有一第一凹槽；该转轴至少包括一连接端，连接端与第一凹槽相匹配，使转轴能够插入第一凹槽；该载置台还包括至少一个凹入第一凹槽的第二凹槽、与第二凹槽数量相同且凹入连接端端面的第三凹槽、与第三凹槽数量相同的锁舌以及控制单元；其中，每个锁舌分别设置于第三凹槽内，并具有一个与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，用于带动基座同步转动；控制单元接收转轴的转动或停止状态信号，控制锁舌伸出并进入第二凹槽内，或控制锁舌缩回第三凹槽。

优选地，第二凹槽的数量为一个，且偏离基座的下表面中心设置。

优选地，第二凹槽的数量为多个，且围绕基座的下表面中心均匀分布。

优选地，锁舌上表面为一斜面，斜面的凸起由低端到高端沿第一凹槽的切线方向布置，并且锁舌低端与连接端的一个端面的连接边相枢接，斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；控制单元包括：一连杆以及一第一弹簧，连杆的一端与锁舌凸起高端的下表面连接；，第一弹簧连接于连杆的另一端，其支撑连杆顶住所述锁舌，使锁舌凸出并进入第二凹槽，并且在转轴停止转动且基座惯性运动时，基座压迫锁舌斜面以使第一弹簧受压压缩，从而使锁舌沿枢接边转动且缩于第三凹槽中。

优选地，第二凹槽为长方形凹槽，锁舌为直角三角形柱体，其柱体的斜面为锁舌上表面，其柱体的一直角面为与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，另一个直角面为与所述锁舌凸起高端的下表面。

优选地，连杆和锁舌由耐高温材料制成。

优选地，转轴的转动或停止状态信号为控制转轴转动的电源通断信号；控制单元包括一连杆、执行机构以及继电器；连杆一端连接于所述锁舌的下表面，继电器根据获得的电源通断信号控制执行机构驱动连杆带动锁舌伸出并进入第二凹槽内，或控制锁舌缩回第三凹槽。