[发明专利]发光装置有效

专利信息
申请号: 201210153459.6 申请日: 2008-10-17
公开(公告)号: CN102655225A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 牛洼孝洋;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 冯雅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光元件的制造方法,包括:

形成包含第一有机化合物和第一发光物质的第一层在阳极上;

形成包含第二有机化合物和第二发光物质的第二层在所述第一层上并与所述第一层接触;

形成包含所述第二有机化合物和第三发光物质的第三层在所述第二层上并与所述第二层接触;以及

形成阴极在所述第三层上,

所述第一有机化合物具有空穴传输性,并且,

所述第二有机化合物具有电子传输性。

2.一种发光元件的制造方法,包括:

形成包含第一有机化合物和第一发光物质的第一层在阳极上;

形成包含所述第一有机化合物和第二发光物质的第二层在所述第一层上并与所述第一层接触;

形成包含第二有机化合物和第三发光物质的第三层在所述第二层上并与所述第二层接触;以及

形成阴极在所述第三层上,

所述第一有机化合物具有空穴传输性,并且,

所述第二有机化合物具有电子传输性。

3.如权利要求1所述的制造方法,所述第一发光物质与所述第二发光物质相同。

4.如权利要求2所述的制造方法,所述第二发光物质与所述第三发光物质相同。

5.如权利要求1或2所述的制造方法,还包括在形成所述第一层之前形成空穴注入层在阳极上,所述空穴注入层包含具有空穴传输性的有机化合物和氧化钼。

6.如权利要求1所述的制造方法,所述第一层的所述第一有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,

所述第二层的所述第二有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,并且,

所述第三层的所述第二有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下。

7.如权利要求2所述的制造方法,所述第一层的所述第一有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,

所述第二层的所述第一有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,并且,

所述第三层的所述第二有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下。

8.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第一层、所述第二层和所述第三层都是通过共蒸镀法形成的。

9.如权利要求1或2所述的制造方法,所述发光元件的发光颜色是白色。

10.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第一有机化合物为3环、4环、5环或6环稠合芳香化合物。

11.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第一有机化合物为蒽衍生物。

12.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第二层的膜厚为1nm以上、20nm以下。

13.如权利要求1所述的制造方法,所述第一层具有空穴传输性,并且,

所述第二层和第三层具有电子传输性。

14.如权利要求2所述的制造方法,所述第一层和所述第二层都具有空穴传输性,并且,

所述第三层具有电子传输性。

15.一种发光元件,包括

阳极;

第一层,所述第一层设置于所述阳极上且包含第一有机化合物和第一发光物质;

第二层,所述第二层设置于所述第一层上且与所述第一层接触,并且包含第二有机化合物和第二发光物质;

第三层,所述第三层设置于所述第二层上且与所述第二层接触,并且包含所述第二有机化合物和第三发光物质;以及

阴极,该阴极设置于所述第三层;

所述第一有机化合物具有空穴传输性,并且,

所述第二有机化合物具有电子传输性。

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