[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201210153459.6 | 申请日: | 2008-10-17 |
公开(公告)号: | CN102655225A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 牛洼孝洋;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 冯雅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光元件的制造方法,包括:
形成包含第一有机化合物和第一发光物质的第一层在阳极上;
形成包含第二有机化合物和第二发光物质的第二层在所述第一层上并与所述第一层接触;
形成包含所述第二有机化合物和第三发光物质的第三层在所述第二层上并与所述第二层接触;以及
形成阴极在所述第三层上,
所述第一有机化合物具有空穴传输性,并且,
所述第二有机化合物具有电子传输性。
2.一种发光元件的制造方法,包括:
形成包含第一有机化合物和第一发光物质的第一层在阳极上;
形成包含所述第一有机化合物和第二发光物质的第二层在所述第一层上并与所述第一层接触;
形成包含第二有机化合物和第三发光物质的第三层在所述第二层上并与所述第二层接触;以及
形成阴极在所述第三层上,
所述第一有机化合物具有空穴传输性,并且,
所述第二有机化合物具有电子传输性。
3.如权利要求1所述的制造方法,所述第一发光物质与所述第二发光物质相同。
4.如权利要求2所述的制造方法,所述第二发光物质与所述第三发光物质相同。
5.如权利要求1或2所述的制造方法,还包括在形成所述第一层之前形成空穴注入层在阳极上,所述空穴注入层包含具有空穴传输性的有机化合物和氧化钼。
6.如权利要求1所述的制造方法,所述第一层的所述第一有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,
所述第二层的所述第二有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,并且,
所述第三层的所述第二有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下。
7.如权利要求2所述的制造方法,所述第一层的所述第一有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,
所述第二层的所述第一有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下,并且,
所述第三层的所述第二有机化合物的含量为50重量%以上、99.9重量%以下。
8.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第一层、所述第二层和所述第三层都是通过共蒸镀法形成的。
9.如权利要求1或2所述的制造方法,所述发光元件的发光颜色是白色。
10.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第一有机化合物为3环、4环、5环或6环稠合芳香化合物。
11.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第一有机化合物为蒽衍生物。
12.如权利要求1或2所述的制造方法,所述第二层的膜厚为1nm以上、20nm以下。
13.如权利要求1所述的制造方法,所述第一层具有空穴传输性,并且,
所述第二层和第三层具有电子传输性。
14.如权利要求2所述的制造方法,所述第一层和所述第二层都具有空穴传输性,并且,
所述第三层具有电子传输性。
15.一种发光元件,包括
阳极;
第一层,所述第一层设置于所述阳极上且包含第一有机化合物和第一发光物质;
第二层,所述第二层设置于所述第一层上且与所述第一层接触,并且包含第二有机化合物和第二发光物质;
第三层,所述第三层设置于所述第二层上且与所述第二层接触,并且包含所述第二有机化合物和第三发光物质;以及
阴极,该阴极设置于所述第三层;
所述第一有机化合物具有空穴传输性,并且,
所述第二有机化合物具有电子传输性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210153459.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择