[发明专利]湿法腐蚀NiCrSi膜的方法

权利要求书

1.一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，包括以下几个步骤：

1）制备带NiCrSi膜腐蚀窗口的硅片；

2）配制腐蚀液；

3)对所述腐蚀窗口上的NiCrSi膜进行腐蚀；

4)对腐蚀后的硅片进行正反面的水枪近距离冲水处理，再在常规冲水槽中进行远距离冲水处理；

5)对腐蚀后的硅片用发烟硝酸进行清洗处理。

2.根据权利要求1所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述制备NiCrSi膜腐蚀窗口的硅片的步骤为：

1)通过常规半导体金属化前的工艺，在单晶硅抛光片上形成常规金属化前的产品结构；

2）采用常规金属化工艺，淀积一层NiCrSi膜，厚度为20nm-30nm；

3）进行常规光刻工艺，涂胶，曝光，显影，形成光刻胶作掩蔽层，没有光刻胶的NiCrSi膜作腐蚀窗口的硅片。

3.根据权利要求1所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述腐蚀液的配制步骤为：

1）结晶硫酸高铈25g倒入玻璃瓶中，并向所述玻璃瓶中倒入250ml去离子水；

2）腐蚀槽中装占腐蚀槽体积2/3的水，加热；

3）玻璃瓶放入所述腐蚀槽中，不断用玻璃棒搅拌，直至形成桔黄色的结晶硫酸高铈饱和溶液；

4）再将25ml硝酸加入玻璃瓶中，不断用玻璃棒搅拌，直至形成橙红色的溶液；

5）从腐蚀槽中取出玻璃瓶，常温静置、冷却5分钟以上，形成透明的腐蚀液。

4.根据权利要求1所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述对所述腐蚀窗口上的NiCrSi膜进行腐蚀的步骤为：

1）腐蚀槽中装占腐蚀槽体积2/3的水；

2）在腐蚀槽中放置带固定支架的培养皿，并将带固定手柄和支架的工夹具放入培养皿中，向培养皿中加入占培养皿体积1/2的所述腐蚀液；

3）开启腐蚀槽的温度加热器；当温度稳定在50度后，将所述带NiCrSi膜腐蚀窗口的硅片放在所述工夹具的支架上；

4）人工上下抖动所述工夹具的手柄，腐蚀到由NiCrSi的颜色完全呈现氧化层的颜色后，再静置5～10秒后，提起所述工夹具的手柄，使所述带腐蚀窗口的硅片露出培养皿中的液面，再用镊子夹出所述带腐蚀窗口的硅片。

5.根据权利要求4所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述培养皿的支架高度15cm，所述培养皿的长、宽、高为12×12×3cm。

6.根据权利要求4所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述工夹具的长、宽、高为11×11×0.5cm，工夹具的手柄位于工夹具任意一角，手柄的长、宽为8×1.5cm，工夹具的支架的一端位于工夹具任意三边的中心位置，工夹具的另一端距所述中心位置的距离为2.5cm。

7.根据权利要求1所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述对腐蚀后的硅片进行正反面的水枪近距离冲水处理，再在常规冲水槽中进行远距离冲水处理的步骤为:

1）右手拿镊子夹住硅片，左手及时拿与常规冲水槽压力相当的水枪近距离冲洗硅片正反面各5次；

2）再将所述硅片放入四氟花蓝中，并放入清洗腐蚀系统中的冲水槽进行常规的冲水处理。

8.根据权利要求1所述的湿法腐蚀NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述对腐蚀后的硅片用发烟硝酸进行清洗处理的步骤为：

1）将腐蚀后的硅片置于石英花篮中，石英花篮置于石英杯中，发烟硝酸倒入石英杯中并淹没硅片，室温静止10分钟；

2）石英花篮取出，放入另一干净且装满水的石英杯中，将石英花篮取出，把石英杯中的水倒掉，再将石英花篮放入石英杯中，重新装满水，如此循环10次；

3）用镊子将所述硅片夹入四氟花篮中，放入清洗腐蚀系统中的冲水槽进行冲水甩干处理。