[发明专利]一种聚酰胺-胺树形分子包覆的ZnX半导体量子点在指纹显现中的应用

权利要求书

1.一种聚酰胺-胺树形分子包覆的ZnX半导体量子点在指纹显现中的应用，采用PAMAM树形分子包覆ZnX半导体量子点，X为S、Se或Te中的一种，PAMAM树形分子端基类型为胺基、酯基、羟基或羧基，代数为3.0～7.0；其特征在于具体步骤为：

1)合成PAMAM树形分子包覆的ZnX半导体量子点溶液；

i)向浓度为1×10^-5mol·L^-1～1×10^-4mol·L^-1、pH为5.0～9.0的PAMAM树形分子溶液中加入浓度为0.01mol·L^-1～0.1mol·L^-1的Zn²⁺离子溶液，使Zn²⁺离子与PAMAM树形分子的摩尔数比为0.5∶1～40∶1，在5℃～45℃的条件下络合3～48h，直至Zn²⁺离子与PAMAM树形分子配位平衡，得到Zn²⁺离子与PAMAM树形分子的络合溶液；

所述的PAMAM树形分子溶液所使用的溶剂为甲醇、水、甲醇与水的混合物或二甲基亚砜中的一种；所述的Zn²⁺离子来自于氯化锌溶液、乙酸锌溶液或硝酸锌溶液中的一种；

ii)制备X^2-源

iii)向步骤i)得到的络合溶液中，加入步骤ii)制备的X^2-源溶液，其中，加入的X^2-源的摩尔数与Zn²⁺离子的摩尔数相同；X^2-为S^2-、Se^2-或Te^2-离子中的一种；在5℃～45℃下搅拌反应5min～60min，用截留分子量为2000～5000的透析袋进行渗析，得到澄清的PAMAM树形分子包覆的ZnX半导体量子点溶液；

2)PAMAM树形分子包覆的ZnX半导体量子点溶液对潜指纹的荧光标记；

将载有潜指纹的基底直接浸泡在PAMAM树形分子包覆的ZnX半导体量子点溶液中1min～12h，然后将基底取出，用去离子水冲洗，自然凉干，得到载有待显现潜指纹的基底，并将其置于暗室中，在300nm～400nm范围内紫外光激发下拍照，得到荧光指纹照片。

2.根据权利要求1所述的一种聚酰胺-胺树形分子包覆的ZnX半导体量子点在指纹显现中的应用，其特征在于：步骤ii)中X^2-源为S^2-源，直接采用硫化钠溶液、硫化钾溶液或硫化氢溶液。

3.根据权利要求1所述的一种聚酰胺-胺树形分子包覆的ZnX半导体量子点在指纹显现中的应用，其特征在于：步骤ii)中X^2-源为Se^2-源，制备方法为：将硒粉和硼氢化钠以摩尔比为1∶1～1∶8置于去离子水中，搅拌，在0℃～40℃下反应生成浓度为0.002mol·L^-1～0.2mol·L^-1的硒氢化钠溶液。

4.根据权利要求1所述的一种聚酰胺-胺树形分子包覆的ZnX半导体量子点在指纹显现中的应用，其特征在于：步骤ii)中X^2-源为Te^2-源，制备方法为：将碲粉和硼氢化钠以摩尔比为1∶1～1∶8置于去离子水中，搅拌，在0℃～40℃下反应生成浓度为0.002mol·L^-1～0.2mol·L^-1的碲氢化钠溶液。

5.根据权利要求1所述的一种聚酰胺-胺树形分子包覆的ZnX半导体量子点在指纹显现中的应用，其特征在于：对步骤1)中合成的PAMAM树形分子包覆的ZnX半导体量子点溶液进一步修饰，具体步骤为：

在5℃～45℃下，将M²⁺离子溶液加入到步骤1)得到的PAMAM树形分子包覆的ZnX半导体量子点溶液中，对ZnX半导体量子点进行修饰掺杂，使M²⁺离子与ZnX半导体量子点的摩尔数比为1∶1～8∶1，搅拌10min，得到PAMAM树形分子包覆的ZnXM²⁺量子点；

M²⁺为Mn²⁺、Co²⁺、Zn²⁺或Cu²⁺中的一种；ZnXM²⁺为M²⁺离子吸附在ZnX半导体量子点表面。