[发明专利]图像传感器及其驱动方法有效
申请号: | 201210154647.0 | 申请日: | 2012-05-15 |
公开(公告)号: | CN102695007A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 李杰 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及图像处理领域,尤其涉及一种图像传感器及其驱动方法。
背景技术
图像传感器属于光电产业里的光电元件类,随着数码技术、半导体制造技术以及网络的迅速发展,目前市场和业界都面临着跨越各平台的视讯、影音、通讯大整合时代的到来,勾划着未来人类的日常生活的美景。因此,图像传感器产品成为当前以及未来业界关注的对象,吸引着众多厂商投入。以产品类别区分,图像传感器产品主要分为CCD图像传感器(电荷耦合图像传感器)、CMOS图像传感器(互补型金属氧化物图像传感器)。
现有的CMOS图像传感器的像素结构主要分为两种,分别为3T像素结构和4T像素结构。3T像素结构中每一个像素包括一个光电二极管、一个复位管、一个行选通管和一个源跟随器。4T像素结构比3T像素结构增加了一个传输管。对于4T像素结构,每一个光电二极管总是需要一个传输管,所述传输管使光电二极管的可控性更好,可以有效地降低热噪声和暗电流。
图1示出了现有技术中4T像素结构的电路示意图。如图1所示,4T像素结构的像素包括:光电二极管11和4个晶体管,其中,光电二极管11和传输管12构成感光单元,所述传输管12用于将光电二极管(Photo Diode,PD)11产生的电荷传输到浮置扩散区(Floating Diffusion,FD),复位管13用于对浮置扩散区复位,源跟随器14用于将浮置扩散区的电信号放大输出。所述像素的工作过程是:使光电二极管11接收光,以收集光生电荷;之后导通行选通管15,选通这一行;打开复位管13,之后关闭复位管13,使各感光单元的浮置扩散区处于复位状态,通过源跟随器14和行选通管15读出复位电平;然后打开传输管12并关闭传输管12(此时光电二极管11进入积分时间,即接收光以收集光生电荷的时间),通过源跟随器14和行选通管15读出信号电平,所述复位电平和信号电平相减获得读出信号。最后关闭行选通管15,对下一行进行类似操作,从而获得各感光单元的读出信号。
图像传感器除了设置有上述具有不同作用的晶体管,还设置有与晶体管相连的金属层,用以向晶体管提供信号,或者从晶体管中读出信号。比如:与各感光单元中传输管12的栅极相连的行方向金属层,用于向传输管12提供导通信号。又比如:与像素中行选通管15的源极相连的列方向金属层,用于输出信号。通常所述金属层与各像素均相连,通常贯穿图像传感器的行或列。
随着像素越做越小,金属层围成的开口也逐渐减小。为了增大所述开口,现有技术中发展了多像素共享结构。在所述多像素共享结构中,多个像素共享部分晶体管,以减小晶体管的数量,从而可以增大光电二极管11的面积。
参考图2,示出了现有技术中8像素共享结构一实施例的示意图。如图2所示,所述8像素共享结构中每一像素单元均包括成4×2(4行2列)型的矩阵式排布的感光单元,每个感光单元均包括一光电二极管PDi(i=0、1、2……7)以及与光电二极管相连的传输管TXi(i=0、1、2……7)。
所述8像素共享结构还包括与各传输管TXi(i=0、1、2……7)相连的行连接线Ri(i=0、1、2……7),具体地,每个感光单元的传输管TXi(i=0、1、2……7)的栅极和与其对应的行连接线Ri(i=0、1、2……7)相连。在图像传感器的工作过程中,向所述行连接线Ri(i=0、1、2……7)上依次加载传输管导通信号,以依次导通各感光单元中的传输管TXi(i=0、1、2……7)。
所述8感光单元共享结构共享一复位管RST、源跟随器SF和行选通管SEL,所述复位管RST、源跟随器SF和行选通管SEL构成读出电路,以实现对信号的读出。具体地,所述复位管RST和源跟随器SF的漏极均和电源电压相连,经由列连接线VDD加载电源电压,所述行选通管SEL的源极与列连接线PXD相连,经由列连接线PXD输出信号。所述8像素共享结构在列方向设置有两条列连接线VDD、PXD。
由于复位管RST需要加载复位管导通信号,行选通管SEL的栅极需要加载行选通管导通信号,所述8像素共享结构在行方向上设置有分别与复位管RST的栅极和行选通管SEL的栅极相连的行连接线(图中未示出),还设置有图1所示的8条与传输管的栅极相连的行连接线Ri(i=0、1、2……7)。由此可见所述8像素共享结构在行方向总共设置有10条连接线。较多的行、列连接线容易造成金属层挡光现象。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210154647.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。