[发明专利]半导体制品钨槽接触电阻测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210154658.9 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426865A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰;刘梅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制品 接触 电阻 测试 结构 方法 | ||
1.一种半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，
在硅衬底上形成有三个依次相邻的有源区，三个有源区与衬底同为N型或P型；
第一个有源区上形成有X个钨槽，该X个钨槽构成第一钨槽阵列同接第一金属层；第二个有源区上形成有Y个钨槽，该Y个钨槽构成第二钨槽阵列同接第二金属层；第三个有源区上形成有Z个钨槽，该Z个钨槽构成第三钨槽阵列同接第三金属层；
第一金属层、第二金属层、第三金属层之间电绝缘；
三个钨槽阵列中的各个钨槽的尺寸相同；
第一钨槽阵列与第二钨槽阵列之间的间距，等于第二钨槽阵列与第三钨槽阵列之间的间距；
X,Y,Z为正整数，X不等于Z。
2.根据权利要求1所述的半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，
三个有源区尺寸相同，三个有源区之间以场氧隔离。
3.根据权利要求2所述的半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，
X、Y、Z互不相等。
4.根据权利要求2所述的半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，
第一金属层、第二金属层、第三金属层与硅衬底间由介质层隔离。
5.根据权利要求4所述的半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，
所述介质层为氧化物、氮化物或氮氧化物。
6.根据权利要求1所述的半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，
该半导体制品钨槽接触电阻测试结构位于硅片的划片槽区域或测试芯片区。
7.利用权利要求1到6任一项所述的半导体制品钨槽接触电阻测试结构进行钨槽接触电阻测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.利用开尔文连接测试所述半导体制品钨槽接触电阻测试结构的第一金属层、第二金属层之间的电阻Ra；利用开尔文连接测试所述半导体制品钨槽接触电阻测试结构的第二金属层、第三金属层之间的电阻Rb，
二.计算得到单个钨槽的接触电阻RWsink，
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