[发明专利]三结级联太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种三结级联太阳能电池，其特征在于，包括Si子电池，以及在所述Si子电池上依次设置的渐变过渡层、第一隧道结、GaAsP子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAsP接触层。

2.根据权利要求1所述的三结级联太阳能电池，其特征在于，所述Si子电池包含材料为P型Si的第一基区、N型Si的第一发射区和N型GaP的第一窗口层，所述第一发射区、第一窗口层依次按照逐渐远离第一基区方向设置。

3.根据权利要求1所述的三结级联太阳能电池，其特征在于，所述渐变过渡层的材料为GaAs_xP_1-x和Ga_yIn_1-y P中任意一种或两种的组合物，x的范围为0至1，y的范围为1至0.51，所述渐变过渡层的带隙大于GaAsP子电池的带隙。

4.根据权利要求1所述的三结级联太阳能电池，其特征在于，所述第一隧道结、第二隧道结均包含依次按照逐渐远离Si子电池方向设置的GaInP层、(Al)GaAs层和材料为Al(Ga)InP的势垒层。

5.根据权利要求1所述的三结级联太阳能电池，其特征在于，所述GaAsP子电池包含依次按照逐渐远离Si子电池方向设置的材料为GaAsP的第二基区、GaAsP的第二发射区和AlInP的第二窗口层。

6.根据权利要求1所述的三结级联太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池包含依次按照逐渐远离Si子电池方向设置的材料为GaInP的第三基区、GaInP的第三发射区和AlInP的第三窗口层。

7.一种如权利要求1所述的三结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：(1)、制备Si子电池；(2)、在所述Si子电池上依次生长渐变过渡层、第一隧道结、GaAsP子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAsP接触层。

8.根据权利要求7所述的三结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)进一步包括步骤：(11)、在P型Si衬底上采用扩散工艺形成N型Si的第一发射区；(12)、在所述第一发射区的裸露表面生长N型GaP的第一窗口层。

9.根据权利要求7中所述的三结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述渐变过渡层采用As组分线性渐进的方法、As组分步进的方法、Ga组分线性渐进的方法和Ga组分步进的方法中任意一种或几种方法组合生长。