[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其中

该成膜方法包括以下步骤：

将基板输入到真空容器内，将上述基板载置在能旋转地设在上述真空容器内的旋转台上；

使上述旋转台旋转；

吸附－形成－照射步骤，自第1反应气体供给部向上述基板供给第1反应气体，使上述第1反应气体吸附于上述基板，自第2反应气体供给部向上述基板供给与上述第1反应气体反应的第2反应气体，使上述第2反应气体与吸附于上述基板的上述第1反应气体反应，在上述基板上形成反应生成物，向等离子体产生部供给含氢气体，在上述旋转台的上方生成等离子体，向上述反应生成物照射等离子体，该等离子体产生部在上述旋转台的周向上与上述第1反应气体供给部及上述第2反应气体供给部分开地设置。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述含氢气体是氢气和氨气中的一种气体或氢气和氨气这两种气体。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

在上述吸附－形成－照射步骤中，向上述等离子体产生部供给氩气。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

在上述吸附－形成－照射步骤中，向上述等离子体产生部供给氩气，

上述含氢气体是氨气，

上述氨气的供给量与上述氩气的供给量的比在0.15％～0.75％的范围内。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

在上述吸附－形成－照射步骤中，向上述等离子体产生部供给氩气，

上述含氢气体是氨气，

上述氨气的供给量与上述氩气的供给量的比在0.3％～0.5％的范围内。

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

该成膜方法在上述吸附－形成－照射步骤之前还包括如下的形成步骤：

自上述第1反应气体供给部向上述基板供给上述第1反应气体，使上述第1反应气体吸附于上述基板，自上述第2反应气体供给部向上述基板供给与上述第1反应气体反应的上述第2反应气体，使上述第2反应气体与吸附于上述基板的上述第1反应气体反应，在上述基板上形成反应生成物。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，

以上述吸附－形成－照射步骤中的上述等离子体不会到达上述基板的方式确定在上述形成步骤中形成于上述基板上的上述反应生成物的厚度。

8.一种成膜装置，其中，

该成膜装置包括：

旋转台，其具有用于载置基板的基板载置部，能旋转地设在真空容器内；

第1反应气体供给部，其用于向载置在上述基板载置部的上述基板供给第1反应气体，使该第1反应气体吸附于上述基板；

第2反应气体供给部，其在上述旋转台的周向上与上述第1反应气体供给部分开地设置，用于向上述基板供给第2反应气体，使上述第2反应气体与吸附于上述基板的上述第1反应气体反应，在上述基板上形成反应生成物；

等离子体生成部，其在上述旋转台的周向上与上述第1反应气体供给部及上述第2反应气体供给部分开地设置，用于在上述旋转台的上方生成等离子体；

气体供给管，其用于向上述等离子体生成部供给含氢气体。

9.根据权利要求8所述的成膜装置，其中，

上述等离子体生成部具有朝向上述旋转台的表面开口、并在与该表面之间划分用于形成供等离子体生成的空间的构件，

上述气体供给管向上述空间供给上述含氢气体。

10.根据权利要求8所述的成膜装置，其中，

上述等离子体生成部含有电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源具有被供给高频电力的线圈。

11.根据权利要求8所述的成膜装置，其中，

上述含氢气体是氢气和氨气中的一种气体或者氢气和氨气这两种气体。

12.根据权利要求8所述的成膜装置，其中，

该成膜装置还具有用于向上述空间供给氩气的氩气供给源。

13.根据权利要求12所述的成膜装置，其中，

上述含氢气体是氨气，

上述氨气的供给量与上述氩气的供给量的比在0.15％～0.75％的范围内。

14.根据权利要求12所述的成膜装置，其中，

上述含氢气体是氨气，

上述氨气的供给量与上述氩气的供给量的比在0.3％～0.5％的范围内。