[发明专利]基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法

权利要求书

1.一种基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法，包括以下步骤：

（1）.建立温度补偿数据表：

a.将电表置于温度点T的环境中工作；

b.测量并记录MCU内置基准的输出电压值，记为u(T)；

c.计算MCU内置基准电压误差e(T)，

适用公式为：e(T)=u(T)-u₀，

式中u₀为MCU内置基准在室温时的标定输出值，可从MCU技术特性手册中查到； 

d. 计算MCU内置基准的电压补偿值，

适用公式为：r(T)=r₀-e(T)/m，

式中，r₀为MCU内置基准校准寄存器的电压初始值，e(T)为步骤c计算得到的MCU内置基准的电压误差，m为MCU内置基准的最小校正电压，该m值从MCU技术手册中查到；

在电表工作环境可能到达的温度范围，将数据(T, r(T))用一个一维数组表示并按照温度由小到大依序存放得到温度补偿数据表，其中T是指电表工作环境可能到达的温度范围内的任一温度点；r(T)是对应于该温度点MCU内置基准的电压补偿值；

线性插值计算得到MCU内置基准在当前温度下的微调因子：

读取SOC芯片片上温度，对于当前温度值T_C可以从所述温度补偿数据表中查到与该温度值T_C相邻的两个补偿数据点(T_a,r_a)和(T_b,r_b)，并以此两点进行线性插值得到MCU内置基准在当前温度下的微调因子r_c，插值公式为r_c=ra+(rb-ra)×(Tc-Ta)/(Tb-Ta)；

（3）用步骤（2）得到的微调因子对MCU内置基准当前的电压进行补偿；

（4）重复步骤（2）和（3），并且每隔一定时间进行一次，用于电表在工作过程中一直得到MCU内置基准温度补偿。

2.根据权利要求1所述基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法，其特征在于所述温度点T设在-40℃到+80℃的范围内。

3.根据权利要求1或2所述基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法，其特征在于步骤1中数据(T, r(T))， 以1摄氏度为间隔的数据点进行选取存储起来。

4.根据权利要求1所述基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法，

其特征在于所述步骤（4）的设定时间为100毫秒。

5.根据权利要求1所述基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法，其特征在于步骤（2）中SOC芯片片上温度通过SOC芯片内部温度传感器读取。