[发明专利]可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器

权利要求书

1.一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，包括：

一衬底；

一n-InP缓冲层，该n-InP缓冲层制作在衬底上；

一InGaAsP下限制层，该InGaAsP下限制层制作在该n-InP缓冲层上；

一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在该InGaAsP下限制层上；

一InGaAsP上限制层，该InGaAsP上限制层制作在该多量子阱有源层上，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；

一p-InP层，该p-InP层制作在该InGaAsP上限制层上；

一p-InGaAsP刻蚀阻止层，该p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在该p-InP层上；

一上p-InP盖层，该上p-InP盖层制作在该p-InGaAsP刻蚀阻止层上；

一p-InGaAs欧姆接触层，该p-InGaAs欧姆接触层制作在该上p-InP盖层上，在该p-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；

其中，该p-InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构：前增益区、相区、光栅区和后放大区。

2.根据权利要求1所述的可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，所述前增益区和所述后放大区称为有源区，所述相区和所述光栅区称为无源区，无源区与有源区的带隙波长相比，蓝移量为90nm，从而降低波导吸收损耗。

3.根据权利要求1所述的可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，所述隔离沟是通过He离子注入的方式成为高阻区，从而实现各电极之间的电隔离。

4.根据权利要求1所述的可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，所述隔离沟将器件分为四段结构，所述隔离沟长度为30至50μm，每段结构中金属电极层长度分别等于各段结构的长度。

5.根据权利要求1所述的可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，所述前增益区的长度占总长度的30％至40％，所述相区的长度占总长度的10％至20％，所述DBR光栅区的长度占总长度的20％至30％，所述后放大区的长度占总长度的20％至30％。

6.根据权利要求1所述的可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，通过调节前增益区和后放大区的注入电流大小，能够获得激光器的双模激射；通过调节DBR光栅区注入电流大小，能够调节激射双模强度差。

7.根据权利要求1所述的可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，该双模激射半导体激光器双模的频率间隔由前增益区、相区、光栅区三段的总长度决定，频率间隔差与器件此三段总长度对应成反比例关系。