[发明专利]一种配置取放装置和调节工件的位置的半导体刻蚀装置

权利要求书

1.一种配置有工件取放装置和调节不同尺寸工件的位置的半导体刻蚀装置，包括用于进行等离子体刻蚀的反应腔室，所述反应腔室内部设有用于向所述半导体工件供应反应气体的气体供应装置、用于取放所述半导体工件的工件取放装置，以及相互间隔相对设置的接地电极和射频电极，其特征在于：所述工件取放装置包括射频电极升降机构和取放片视窗出口装置；

所述射频电极升降机构包括直线运动传动机构和导向机构，所述直线运动传动机构包括驱动电机、连接驱动电机的转动件和连接该转动件的直线运动件，所述射频电极设置在该直线运动件上，所述导向机构包括导柱和导套，其中，所述导柱连接所述直线运动件，所述导柱滑动安装于所述导套内部并可沿所述导套轴向滑动，使得所述导柱相对于导套做直线运动，该导套上连接所述驱动电机，所述导套安置于所述刻蚀装置的机架上所述射频电极与所述反应腔室的下端盖之间设置有密封用波纹管，所述波纹管能跟随所述射频电极的升高和下降而产生伸长和缩短；

所述取放片视窗出口装置设置在所述反应腔室的侧壁上，其包括开设在所述侧壁上的窗口、置于该窗口上的窗口盖和置于该窗口和窗口盖之间的密封装置，所述取放片视窗出口装置相对于所述反应腔室下端盖的设置高度位于所述射频电极的升降行程范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述直线运动机构为螺旋传动机构，包括相互螺接的螺母和螺杆，所述螺母为所述直线运动件，固定在所述导柱上，所述螺杆为所述转动件，与所述驱动电机的输出轴传动连接。

3.根据权利要求2所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述导柱为上端开口的中空柱状体，其上端开口处设有法兰、下端固定安装所述螺母，所述驱动电机安装在所述导套下端，所述驱动电机的输出轴与所述螺杆传动连接，所述导柱滑动安装于所述导套内部并可沿所述导套轴向滑动，所述导柱顶端通过所述法兰安装有所述射频电极，所述导套下端固定安装于所述刻蚀装置的机架上。

4.根据权利要求3所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述导套和所述导柱之间设置花键、或滑键、或滑块凹槽以防止二者之间的相对转动。

5.根据权利要求3所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述螺杆与所述导套、所述导柱同轴设置。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：在所述射频电极上再增设一个二级升降机构，所述射频电极包括射频电极主体和承载台，所述承载台与所述射频电极主体电连接，在该射频电极主体的承载面或承载台上开设一容置孔，在该容置孔上设有一二级承载台与所述容置孔口大小和形状匹配，该二级承载台和所述射频电极主体或与之电连接的所述承载台电连接；该二级升降机构也是一直线运动机构，该直线运动机构包括一驱动电机、一连接驱动电机的转动件和连接该转动件的直线运动件，该驱动电机固定在所述容置孔中，所述二级承载台设置在该直线运动件上，在所述二级承载台和容置孔的孔壁之间设置一个二级波纹管，该二级波纹管能跟随所述二级承载台的升高和下降而产生伸长和缩短。

7.根据权利要求6所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述二级承载台为设于射频电极内的较小的承载台，所述二级承载台的升降行程的下端为使得所述二级承载台的台面低于所述射频电极的承载面的高度。

8.根据权利要求6所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述直线运动机构为一螺旋机构，其中的螺母设置在所述二级承载台上，所述驱动电机设置在所述射频电极上，其输出轴上连接与所述螺母螺接的螺杆；和/或，所述二级承载台的半径与所述射频电极上的用于承载的一级升降平台的半径比为0.5左右。

9.根据权利要求1至8之一所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述取片视窗出口的截面形状为矩形。

10.根据权利要求9所述的半导体刻蚀装置，其特征在于：所述窗口的长度与腔室的直径相等；和/或，该窗口的位置位于所述升降机构的工作行程内偏下位置；或者，所述取放片视窗出口装置在所述反应腔室侧壁上只有一个；或者，该取放片视窗出口装置在反应腔室侧壁上设置两个，该两个取放片视窗出口装置是相对地设置在所述反应腔室的相对侧壁上或者是相互成设定角度地设置在反应腔室的侧壁上；或者，所述窗口的高度为30-50mm。