[发明专利]全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用无效
| 申请号： | 201210155959.3 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102709472A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张婷;马文海;张伟风;魏凌;孙健 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 475004*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 存储器 锡酸钡 做为 具有 稳定 特性 材料 方面 应用 | ||
【权利要求书】：
1.锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述的锡酸钡的光学带隙为3.4eV，材料层在可见光区透过率接近87％。
3.一种全透明阻变存储器，其特征在于：包括下电极及下电极表面的阻变存储层，以及沉积于所述阻变存储层上的上电极；所述的上电极和下电极为氧化铟锡（ITO）导电薄膜或氟掺杂氧化铟（FTO）透明导电薄膜；所述的阻变存储层为由锡酸钡（BaSnO3）薄膜。
4.根据权利要求3所述的全透明阻变存储器，其特征在于：所述的锡酸钡BaSnO3薄膜是透明的。
5.根据权利要求3所述的全透明阻变存储器，其特征在于：所述绝缘衬底和下电极都是透明的，由FTO导电玻璃组成。
6.根据权利要求3所述的全透明阻变存储器，其特征在于：所述上电极是透明的，且由导电氧化物——氧化铟锡ITO组成。
7.根据权利要求3所述的全透明阻变存储器，其特征在于：所述上电极厚度为30nm,阻变存储层厚度为300nm和下电极厚度为350nm导电材料。
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