[发明专利]一种面板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种面板结构，其包括基板、第一膜层、第二膜层，所述基板至少包括第一表面，所述第一膜层由第一材料经磁控溅射方式形成于所述基板的第一表面，所述第二膜层由第二材料经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。

2.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于：所述第一膜层由所述第一材料在200至350摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一表面上，所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。

3.如权利要求2所述的面板结构，其特征在于：所述第一材料的膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述第一膜层的形变量小于所述基板的形变量，所述基板向所述第二表面方向发生翘曲。

4.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于：所述第二膜层由所述第二材料在250至400摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，所述第二膜层的厚度在3000至4000埃之间。

5.如权利要求4所述的面板结构，其特征在于：所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置于所述基板的两侧；所述第二材料的膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述第二膜层的形变量大于所述基板的形变量，所述基板向所述第一表面的一侧发生翘曲。

6.一种面板结构制作方法，包括如下步骤：

提供一基板，该基板至少包括第一表面；

采用一第一材料在所述基板的第一表面上形成一第一膜层，所述第一材料的膨胀系数与制作所述基板的材料的膨胀系数不相同；

采用一第二材料在所述第一膜层上形成一第二膜层，且制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。

7.如权利要求6所述的面板制作方法，其特征在于：所述第一膜层由所述第一材料在200至350摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一表面上，所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。

8.如权利要求7所述的面板制作方法，其特征在于：所述第一材料的膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述第一膜层的形变量小于所述基板的形变量，所述基板向所述第二表面方向发生翘曲。

9.如权利要求6所述的面板制作方法，其特征在于：所述第二膜层由所述第二材料在250至400摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，所述第二膜层的厚度在3000至4000埃之间。

10.如权利要求9所述的面板制作方法，其特征在于：所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置于所述基板的两侧；所述第二材料的膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述第二膜层的形变量大于所述基板的形变量，所述基板向所述第一表面的一侧发生翘曲。