[发明专利]薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法无效
申请号: | 201210156369.2 | 申请日: | 2012-05-18 |
公开(公告)号: | CN103426626A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 张怀禄;张育嘉;谢明峰;许秀美;傅国荣 | 申请(专利权)人: | 佳邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/04 | 分类号: | H01F41/04 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 元件 制备 方法 及其 滤波器 | ||
1.一种薄膜元件的制备方法,包含下列步骤:
形成至少一第一导电图案于一基板上;
置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上;
施加一力量于该干式聚亚酰胺膜,使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙;以及
形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。
2.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法,其中该力量使用滚轮施加于该干式聚亚酰胺膜。
3.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法,其中该力量使用液压施加于该干式聚亚酰胺膜。
4.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法,其中该力量经由一弹性体施加于该干式聚亚酰胺膜。
5.如权利要求4所述的薄膜元件的制备方法,其中该弹性体包含橡胶。
6.如权利要求4所述的薄膜元件的制备方法,其中该弹性体包含膜片。
7.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法,其中该力量实质上是在一真空环境中施加于该干式聚亚酰胺膜。
8.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法,其中该力量是在一预定温度施加于该干式聚亚酰胺膜,该预定温度不低于该干式聚亚酰胺膜的玻璃转移温度。
9.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法,其在形成至少一第二导电图案之前,另包含图案化该干式聚亚酰胺膜的步骤。
10.如权利要求9所述的薄膜元件的制备方法,其在形成至少一第二导电图案之前,另包含固化该干式聚亚酰胺膜的步骤。
11.如权利要求10所述的薄膜元件的制备方法,其中固化该干式聚亚酰胺膜的步骤是一热处理工艺,其工艺温度介于160°C及370°C之间。
12.一种共模滤波器的制备方法,包含下列步骤:
形成至少一第一导电图案于一基板上;
置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上;
施加一力量于该干式聚亚酰胺膜,使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙;以及
形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。
13.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法,其中该力量使用滚轮施加于该干式聚亚酰胺膜。
14.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法,其中该力量使用液压施加于该干式聚亚酰胺膜。
15.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法,其中该力量经由一弹性体施加于该干式聚亚酰胺膜。
16.如权利要求15所述的共模滤波器的制备方法,其中该弹性体包含橡胶。
17.如权利要求15所述的共模滤波器的制备方法,其中该弹性体包含膜片。
18.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法,其中该力量实质上在一真空环境中施加于该干式聚亚酰胺膜。
19.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法,其中该力量在一预定温度施加于该干式聚亚酰胺膜,该预定温度不低于该干式聚亚酰胺膜的玻璃转移温度。
20.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法,其在形成至少一第二导电图案之前,另包含图案化该干式聚亚酰胺膜的步骤。
21.如权利要求20所述的共模滤波器的制备方法,其在形成至少一第二导电图案之前,另包含固化该干式聚亚酰胺膜的步骤。
22.如权利要求21所述的共模滤波器的制备方法,其中固化该干式聚亚酰胺膜的步骤是一热处理工艺,其工艺温度介于160°C及370°C之间。
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