[发明专利]发光元件、发光设备和电子设备

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

阳极和阴极之间的EL层，

其中所述EL层包括具有空穴注入属性的第一层、具有空穴输运属性的第二层、具有发光属性的第三层、以及控制电子输运的第四层，

其中所述第一层和所述第二层插入在所述阳极和所述第三层之间，

其中所述第四层插入在所述阴极和所述第三层之间，

其中所述第四层包括具有电子输运属性的第一有机化合物以及具有电子俘获属性的第二有机化合物，并且其中所述第四层中第二有机化合物的浓度为大于或等于0.1wt%且小于或等于5wt%。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中所述具有电子输运属性的第一有机化合物是金属络合物。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中所述具有电子俘获属性的第二有机化合物是香豆素衍生物或喹吖啶酮衍生物。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第二层的最高被占用分子轨道能级的绝对值大于所述第一层的最高被占用分子轨道能级的绝对值。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一层包括复合材料，在该复合材料中在具有高的空穴输运属性的物质中包含有受主物质。

6.一种包括如权利要求1所述的发光元件的发光设备。

7.一种包括如权利要求6所述的发光设备的电子设备。

8.一种包括如权利要求6所述的发光设备的照明设备。

9.一种发光元件，包括：

阳极和阴极之间的EL层，

其中所述EL层包括具有空穴注入属性的第一层、具有空穴输运属性的第二层、具有发光属性的第三层和控制电子输运的第四层，

其中所述第一层和所述第二层插入在所述阳极和所述第三层之间，

其中所述第四层插入在所述阴极和所述第三层之间，

其中所述第四层包括具有电子输运属性的第一有机化合物和具有电子俘获属性的第二有机化合物，并且

其中所述第二有机化合物的最低未被占用分子轨道能级的绝对值比所述第一有机化合物的最低未被占用分子轨道能级的绝对值大出大于或等于0.3eV。

10.如权利要求9所述的发光元件，所述具有电子输运属性的第一有机化合物是金属络合物。

11.如权利要求9所述的发光元件，其中所述具有电子俘获属性的第二有机化合物是香豆素衍生物或喹吖啶酮衍生物。

12.如权利要求9所述的发光元件，其中所述第二层的最高被占用分子轨道能级的绝对值大于所述第一层的最高被占用分子轨道能级的绝对值。

13.如权利要求9所述的发光元件，其中所述第一层包括复合材料，在该复合材料中在具有高的空穴输运属性的物质中包含有受主物质。

14.一种包括如权利要求9所述的发光元件的发光设备。

15.一种包括如权利要求14所述的发光设备的电子设备。

16.一种包括如权利要求14所述的发光设备的照明设备。

17.一种发光元件，包括：

阳极和阴极之间的EL层，

其中所述EL层包括具有空穴注入属性的第一层、具有空穴输运属性的第二层、具有发光属性的第三层、具有电子输运属性的第四层，具有电子注入属性的第五层、以及用作载流子控制层的第六层，

其中所述第一层、第二层、第三层、第六层、第四层、第五层以此顺序形成，

其中所述第六层包括具有电子输运属性的第一有机化合物和具有电子俘获属性的第二有机化合物，

其中所述第三层包括发光材料，

其中所述发光材料是磷光材料，并且

其中所述第二有机化合物是磷光材料。

18.如权利要求17所述的发光元件，其中所述发光材料的发射谱的峰值和所述第二有机化合物的发射谱的峰值之间的差在30nm内。

19.如权利要求17所述的发光元件，其中所述第二有机化合物的最低未被占用分子轨道能级的绝对值比所述第一有机化合物的最低未被占用分子轨道能级的绝对值大出大于或等于0.3eV。