[发明专利]晶片封装体、晶片封装体的形成方法以及封装晶圆有效

专利信息
申请号: 201210157448.5 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN102800656A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 刘沧宇;林佳升;郑家明;林柏伸 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/50
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 封装 形成 方法 以及
【说明书】:

技术领域

发明有关于晶片封装体,且特别是有由晶圆级封装制程所制得之晶片封装体。

背景技术

传统的晶片封装制程对切割自晶圆的半导体晶粒逐一进行封装,相当耗时费工。晶圆级封装制程是在将晶粒逐一切割之前,于晶圆上完成封装所需的各道制程。在后续切割制程之后,可同时获得多个制程条件大抵相同的晶片封装体。采用晶圆级封装制程,可节省制程成本与时间。

然而,由于晶圆具有较大的表面积,因此封装制程或晶圆制作制程有时需相应调整。例如,晶圆中心部分与晶圆外围部分的制程条件可能需调整。

因此,业界亟需获得单一特定晶片封装体于切割前在晶圆中之相对位置信息以据此调整制程条件。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体,包括:一基底,其中该基底系切割自一晶圆;一元件区,形成于该基底之中;一导电层,设置于该基底之上,且电性连接该元件区;一绝缘层,设置于该基底与该导电层之间;以及一材料层,形成于该绝缘层之上,其中该材料层具有一识别图案,该识别图案显示该基底在未切割自该晶圆之前,于该晶圆中的一位置信息。

本发明所述的晶片封装体,该识别图案包括一可编码且可解码信息。

本发明所述的晶片封装体,该可编码且可解码信息包括一数字、一文字、一符号或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体,该识别图案包括多个识别部分。

本发明所述的晶片封装体,所述识别部分彼此相邻设置。

本发明所述的晶片封装体,至少部分的所述识别部分分离设置。

本发明所述的晶片封装体,该位置信息包括一X轴位置信息及一Y轴位置信息。

本发明所述的晶片封装体,该材料层的材质与该导电层的材质相同。

本发明所述的晶片封装体,还包括:一防焊层,设置于该绝缘层及该导电层之上,其中该防焊层具有露出该导电层的一开口;以及一导电结构,形成于该开口之中,且电性接触该导电层。

本发明所述的晶片封装体,该防焊层直接接触该材料层。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法,包括:提供一晶圆,其中该晶圆定义有多个预定切割道,所述预定切割道将该晶圆划分成多个区域,该晶圆中形成有多个元件区,所述元件区分别位于其中一所述区域之中;于该晶圆之上形成一绝缘层;于该绝缘层之上形成多个图案化导电层,其中每一所述图案化导电层分别位于其中一所述区域之中,且分别电性连接对应的所述区域中之对应的该元件区;于该绝缘层上形成一材料层,该材料层具有多个识别图案,所述识别图案分别位于其中一所述区域之中,且分别显示对应的所述区域之位置信息;以及沿着所述预定切割道进行一切割制程以形成彼此分离之多个晶片封装体。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该材料层与所述图案化导电层的材质相同。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该材料层的所述识别图案与所述图案化导电层同时形成。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括:于所述图案化导电层及该绝缘层之上形成一防焊层,其中该防焊层具有露出所述图案化导电层的多个开口;以及于露出的所述图案化导电层之上分别形成一导电结构。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,所述识别图案包括一可编码且可解码信息。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该可编码且可解码信息包括一数字、一文字、一符号或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该识别图案包括多个识别部分。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,所述识别部分彼此相邻设置。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,所述识别部分彼此分离设置。

本发明提供一种封装晶圆,包括:一半导体晶圆,定义有多条预定切割道,所述预定切割道将该半导体晶圆划分成多个区域;多个半导体元件,分别位于所述区域之中;一绝缘层,位于该半导体晶圆之上;多个导电层,位于该绝缘层之上,且每一所述导电层分别电性连接对应的其中一所述半导体元件;以及多个识别图案,位于该绝缘层之上,其中所述识别图案显示每一所述区域与其他所述区域之间的相对位置信息。

本发明通过识别图案的设置可定位出每一特定晶片封装体原处于未切割晶圆的位置,有助于找出制程问题,并提高晶片封装体的良率。

附图说明

图1A至图1B显示本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图2显示一封装晶圆的俯视图。

图3显示本发明一实施例的封装晶圆的俯视图。

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