[发明专利]滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法有效
申请号: | 201210157916.9 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN102645694A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 李萍;熊国欣;梁高峰;张晓丽;蔺利峰;雷茂生;宋孟丹;罗恩斯 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 罗民健 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波 范围 540 760 nm 掺杂 光子 晶体 光学 滤波器 及其 制作方法 | ||
1.滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器,其特征在于:滤波器包括光子晶体层(1)和镜头玻璃(2),光晶晶体层(1)设置在镜头玻璃(2)表面,光子晶体层(1)由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成(DE)5(ED)5型复合结构,所述的D为硫化锌,E为氟化镁,其中(DE)5表示5层D介质和E介质交替叠加构成的复合介质层,其中D介质层的厚度为67.34nm,E介质层的厚度为114.674nm,该复合介质层设置在光子晶体层(1)的内侧,并与镜头玻璃连接;其中(ED)5表示5层E介质和D介质交替叠加构成的复合介质层,其中D介质层的厚度为67.34nm,E介质层的厚度为114.674nm,该复合介质层设置在光子晶体层(1)外侧。
2.如权利要求1所述的滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器,其特征在于:所述的D介质层的折射率分别是 ,E介质层的折射率为,D介质层的厚度为,E介质层的厚度为,中心波长取633nm。
3.如权利要求1所述的滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法,其特征在于:
步骤一、取一个镜头玻璃作为基板,将基板双面抛光,备用;
步骤二、将加工好的基板表面进行清洁化处理,采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板,然后将基板置于热板上烘干,温度65°,时间10分钟;
步骤三、将基板放入真空镀膜机中,在其一个表面上进行D介质的镀膜,硫化锌折射率,中心波长取633nm时,其镀膜厚度为,即67.34nm,镀膜后干燥冷却30分钟,然后在基板镀有D介质膜层的表面进行E介质的镀膜,氟化镁的折射率,中心波长取633nm时,其镀膜厚度为,即114.674nm,镀膜后干燥冷却30分钟;
步骤四、按照步骤三的方法交替进行D介质和E介质镀膜,直至镀好4层D介质膜层和4层E介质膜层,在基板上形成结构为(DE)4的光子晶体复合镀膜层;
步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为(DE)4的基板结构上继续进行D介质硫化锌的镀膜,厚度为67.34nm,干燥冷却30分钟,在基板上形成结构为(DE)4D的光子晶体复合镀膜层;
步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为(DE)4D的结构上进行E介质氟化镁的镀膜,厚度为229.348nm,在基板上形成结构为(DE)5E的光子晶体复合镀膜层;
步骤七、按照步骤三的方法交替进行D介质和E介质镀膜,直至镀好5层D介质膜层和4层E介质膜层,在基板上形成结构为(DE)5(ED)5的光子晶体复合镀膜层,制得表面设有(DE)5(ED)5光子晶体结构的滤波器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南科技大学,未经河南科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210157916.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半刚性节点初始刚度的组件式获取方法
- 下一篇:一种往复式电动剃须刀