[发明专利]一种沟槽结构肖特基器件及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽结构肖特基器件，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；一个

主结沟槽，位于器件中心位置漂移层中，槽底部位于漂移层中，沟槽内壁表面没有绝缘材料，临靠沟槽侧壁和底部边缘区域设置有第二传导类型半导体材料；一个或多个

终端沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面没有绝缘材料，临靠沟槽侧壁和底部区域设置有第二传导类型半导体材料，终端沟槽的沟槽深度小于主结沟槽深度，主结沟槽侧壁第二传导类型半导体材料与终端沟槽侧壁的第二传导类型半导体材料相连，其中多个终端沟槽侧壁的第二传导类型半导体材料相连，其中多个终端沟槽的沟槽深度和宽度随着远离主结沟槽逐渐变小；

钝化层，为绝缘材料层，位于漂移层表面；

肖特基势垒结，位于主结沟槽内壁表面，肖特基势垒结边缘被第二传导类型半导体材料包裹；

上下表面金属层，位于肖特基器件上下表面，上表面金属层连接肖特基势垒结和终端沟槽内壁，并延伸至器件边缘漂移层上部钝化层表面。

2.一种如权利要求1所述的沟槽结构肖特基器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在表面形成钝化层，在待形成主结沟槽和终端沟槽区域表面去除钝化层；

3)进行第二传导类型杂质掺杂；

4)进行刻蚀半导体材料，形成主结沟槽和终端沟槽；

5)扩散进行杂质再分布，腐蚀去除沟槽内壁钝化层；

6)淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结，表面淀积金属形成上表面金属层，进行光刻腐蚀工艺腐蚀去除表面部分金属；

7)进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层。