[发明专利]一种侧墙薄膜沉积方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种侧墙二氧化硅薄膜沉积方法。

背景技术

次大气压化学气相沉积（Sub Atmosphere Chemical Vapor Deposition, SACVD）是一种应用比较广泛的化学气相沉积技术，该技术利用臭氧以及四乙基硅甲烷（TEOS）做为反应起始气体。在一定的温度条件下通常为300~500℃进行热化学反应，由于其反应压力一般在50~600 torr，略低于大气压，因此称之为次大气压化学气相沉积。

SACVD在反应过程中不需要借助等离子体解离反应气体，而是通过臭氧中的活性氧原子与TEOS中的硅反应生成二氧化硅。因此，由SACVD方法制备的二氧化硅薄膜在沉积过程中对衬底没有等离子体诱导损伤（Plasma Induced Damage，PID），SACVD还具有比较好的阶梯覆盖能力以及均匀度。

综合上述SACVD制程的特点，在半导体制备过程中，尤其是比较先进的工艺中，晶体管的侧墙（Spacer）二氧化硅通常采用SACVD方法制备。

但是，SACVD由于在沉积过程中温度相对炉管的热氧反应较低，并且没有等离子体的轰击作用，其薄膜中会含有一定量的H，薄膜的性质相对较差，例如具有较高的湿法蚀刻速率、密度较低、容易吸水、在一些对薄膜性质要求较高的制程中需要额外的热处理过程以增加薄膜的密度。因此，有必要提高由SACVD方法制备的二氧化硅薄膜的性能。

发明内容

本发明根据现有技术中存在的缺陷，提供一种二氧化硅侧墙薄膜的沉积方法，在由次大气压化学气相沉积（SACVD）方法制备的二氧化硅侧墙薄膜沉积完成之后，对其进行紫外光的照射，以去除薄膜中的缺陷，增强该薄膜的性能，去除薄膜中多余的Si-H等键，改善了侧墙的性能。

为了实现上述目的本发明提供一种侧墙沉积方法，包括以下顺序步骤：步骤1：准备衬底，设定进行次大气压化学气相沉积的气体流量、压力和温度；步骤2：对衬底进行薄膜沉积；步骤3：对沉积形成的薄膜进行紫外光照射；步骤4：取出衬底。

在本发明提供的一个优选实施例中，循环进行步骤2和3的操作。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述所述次大气压化学气相沉积过程的压力范围为10~700 torr。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述次大气压化学气相沉积过程的温度范围为300~500℃。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述次大气压化学气相沉积所形成的薄膜沉积厚度范围为100~1000A。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述紫外光照射的波长范围为320~400nm。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述紫外光照射的照射温度范围为300-500℃。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述紫外光照射的照射时间为1~10分钟。

在本发明提供的一个优选实施例中，所述薄膜为二氧化硅材质。

本发明提供了一种二氧化硅侧墙薄膜的沉积方法，增强该薄膜的性能，去除薄膜中多余的Si-H等键，改善了侧墙的性能。该方法制备的薄膜中氢含量较低，薄膜密度较高，薄膜质量较好。

附图说明

图1是本发明提供的侧墙薄膜沉积方法的流程图。

具体实施方式

本发明提供一种侧墙沉积的方法，降低薄膜中的氢含量，提高薄膜的密度，以提高薄膜的质量。

以下通过实施例对本发明提供的沉积方法做进一步详细说明，以便更好理解本发明创造，但实施例的内容并不限制本发明创造的保护范围。

图1是沉积侧墙的工艺流程图，先准备待二氧化硅侧墙沉积的衬底，设定进行次大气压化学气相沉积设备各项参数如气体流量、压力和温度等。次大气压化学气相沉积过程的压力范围为10~700 torr，温度范围为300~500℃。次大气压化学气相沉积所形成的薄膜沉积厚度范围为100~1000A。紫外光照射的波长选用范围为320~400nm，照射温度范围为300-500℃，照射时间为1~10分钟。

对衬底进行二氧化硅薄膜沉积，完成沉积后，对沉积形成的二氧化硅薄膜进行紫外光照射，最后取出衬底。沉积二氧化硅过程和紫外光照射的过程，可以一步直接沉积到规定厚度后直接紫外光照射。优选采用不断循环方式进行沉积和紫外光照射，形成的薄膜中氢含量相比一步沉积和紫外光照射形成的薄膜更加低。