[发明专利]一种移位寄存器单元、移位寄存器、显示装置和驱动方法

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：

存储电容，一端与上拉结点连接，另一端与输出端连接；

第一薄膜晶体管，用于在输入信号为高电平时，为上拉结点和所述存储电容充电；

复位模块，用于根据复位信号的控制为所述上拉结点和所述存储电容放电；

第三薄膜晶体管，用于在第一时钟信号为高电平时，向输出端发送输出信号；

第八薄膜晶体管，用于在所述第三薄膜晶体管向所述输出端发送输出信号时，发送触发信号；

电位保持模块，用于根据所述第一时钟信号和第二时钟信号，交替控制下拉结点在下一个输入信号到来之前处于高电位以使所述上拉结点和所述输出端持续放电。

2.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述复位模块包括：

复位端子；

第二薄膜晶体管，栅极与所述复位端子连接、源极与所述上拉结点连接、漏极与低电平连接；

第四薄膜晶体管，栅极与所述复位端子连接、源极与所述输出端连接、漏极与低电平连接。

3.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述电位保持模块包括：

第五薄膜晶体管，源极和栅极与第二时钟信号输入端连接、漏极与下拉结点连接；

第六薄膜晶体管，源极与所述下拉结点连接、栅极与所述存储电容的一端连接、漏极与低电平连接；

第九薄膜晶体管，源极和栅极与第一时钟信号输入端连接、漏极与所述下拉结点连接；

第十薄膜晶体管，源极与所述上拉结点连接、栅极与所述下拉结点连接、漏极与低电平连接；

第十一薄膜晶体管，源极与所述输出端连接、栅极与所述下拉结点连接、漏极与低电平连接。

4.如权利要求1-3所述的移位寄存器单元，其特征在于，第三薄膜晶体管的W/L值大于第八薄膜晶体管的W/L值。

5.一种移位寄存器，其特征在于，包括多级级联的如权利要求1-4中任一所述的移位寄存器单元，其中：

第n级移位寄存器单元的输出端连接第n-1级移位寄存器单元的复位端子；

第n级移位寄存器单元的INPUT_NEXT端连接第n+1级移位寄存器单元的输入端。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的移位寄存器。

7.一种驱动权利要求5所述移位寄存器的驱动方法，其特征在于，包括：

当第n级移位寄存器单元的输入端接收到高电平信号时，第一薄膜晶体管开启，对上拉节点充电；

当第一时钟信号为高电平时，输出端的输出信号为高电平；

下一个时钟信号周期内，复位信号为高电位，开始对本级上拉节点PU和输出端放电，使本级输出端为低电平。

之后，第一时钟信号和第二时钟信号交替控制使得在下一个输入信号到来之前本级输出端持续处于低电平。