[发明专利]微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺，特别是涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法。

背景技术

微电机系统（MEMS）中常会用到聚酰亚胺（Polyimide,PI），例如在一些MEMS产品中可以作为绝缘层。聚酰亚胺需要经过刻蚀以实现图形转移，但刻蚀后会使光刻胶表面的性质发生改变，变得与聚酰亚胺的性质相似，因此不宜采用干法去胶工艺进行去胶，否则会在去胶的同时去除聚酰亚胺。

传统工艺中在聚酰亚胺刻蚀后通常采用湿法去胶，但会存在去胶不净的现象，不利于后续膜的生长和产品性能的保证，导致圆片返工，使返工率增加，不利于正常的生产。

发明内容

基于此，有必要针对传统工艺中去胶不净的问题，提供一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法。

一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。

在其中一个实施例中，所述预处理步骤是在干法刻蚀步骤之后进行的。

在其中一个实施例中，所述湿法去胶步骤之后包括用显微镜对去胶情况进行检查的步骤。

在其中一个实施例中，所述湿法去胶步骤中采用正性去胶液进行去胶。

在其中一个实施例中，所述预处理步骤中所述干法去胶机台的腔体温度为250摄氏度。

在其中一个实施例中，所述预处理步骤的处理时间为30秒。

在其中一个实施例中，所述预处理步骤中等离子体轰击去除的光刻胶厚度为

上述微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，首先在顶针顶起状态对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于顶针顶起状态反应的剧烈程度相对来说要轻微许多，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且由于预处理后湿法去胶工序中光刻胶很容易去掉，因此不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。

附图说明

图1是一实施例微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法的流程图；

图2是另一实施例微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图1是一实施例的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法的流程图，包括下列步骤：

S110，采用干法去胶机台，在顶针顶起（Pin up）状态下对圆片（wafer）的光刻胶表面进行预处理。

预处理步骤具体是在一定的温度下，且顶针将圆片顶起的状态下用等离子体对光刻胶表面进行轰击。

S120，对光刻胶进行湿法去胶。

在其中一个实施例中，采用正性去胶液进行去胶。

由于刻蚀后光刻胶表面的性质发生改变主要是在干法刻蚀后较为明显，因此在优选的实施例中，步骤S110是在干法刻蚀聚酰亚胺步骤S108之后进行的，参见图2。

在其中一个实施例中，步骤S110中干法去胶机台的腔体温度可以设定为200~250摄氏度，优选为250摄氏度。预处理的时间为25~35秒，优选为30秒。在预处理的时间内，圆片逐渐升温，最终圆片表面温度会达到170摄氏度左右。预处理中等离子体轰击去除的光刻胶厚度为左右。

如图2所示，在另一个实施例中，步骤S120完成后还可以包括用显微镜对去胶情况进行检查的步骤S130。根据检查结果，可能需要进行返工进行二次去胶，或者调整步骤S110和S120中的去胶参数（例如去胶的温度、时间等）。

上述微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，首先在顶针顶起状态对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于预处理时顶针处于Pin up状态，加之控制了腔体的温度及反应时间，反应的剧烈程度相对来说要轻微许多，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且由于预处理后湿法去胶工序中光刻胶很容易去掉，因此不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。