[发明专利]缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法

权利要求书

1.一种缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1】制备CsI(Na)晶体；

2】利用高能球磨机或者高速气流粉碎机配置微米粒度分级机将CsI(Na)晶体制备成微米粒度的粉末；

3】用微米粒度的CsI(Na)晶体粉末制备探测器，进行快脉冲辐射探测。

2.根据权利要求1所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述高能球磨机是筒式球磨机、振动球磨机、行星式球磨机、轴承球磨机、振动磨、搅拌磨或胶体磨。

3.根据权利要求1所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述的高速气流粉碎机使用的高速气流是氮气、其他惰性气体或还原性气体。

4.根据权利要求1或2或3所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述制备CsI(Na)晶体是利用坩埚下降法或提拉法生长CsI(Na)晶体。

5.根据权利要求4所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述CsI(Na)晶体是在真空状态或室温状态生长。

6.一种缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1】制备CsI(Na)晶体；

2】利用高速气流粉碎机配置纳米粒度分级机将CsI(Na)晶体制备成纳米粒度的粉末；

3】用纳米粒度的CsI(Na)晶体粉末制备探测器，进行快脉冲辐射探测。

7.根据权利要求6所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述的高速气流粉碎机使用的高速气流是氮气、其他惰性气体或还原性气体。

8.根据权利要求6或7所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述制备CsI(Na)晶体是利用坩埚下降法或提拉法生长CsI(Na)晶体。

9.根据权利要求8所述的缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：所述CsI(Na)晶体是在真空状态或室温状态生长。