[发明专利]单面端电极陶瓷电容无效
申请号: | 201210160443.8 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102683009A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 吴旻修;许家铭;罗立伟 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/228;H01G4/232;H01G4/30 |
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地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单面 电极 陶瓷 电容 | ||
本发明要求对2012年01月18日提交的中国申请号为201210014221.5的申请案具有优先权。
技术领域
本发明关于一种单面端电极陶瓷电容及其复合堆栈组,尤其关于一种两个端电极均位于同一面上的陶瓷电容,以及使用多个陶瓷电容形成的复合堆栈组。
背景技术
图1为习知的陶瓷电容。陶瓷电容10位于电路板20上,并具有两个端电极,分别为端电极30和端电极40。当陶瓷电容10利用焊锡50焊接于电路板20上时,端电极30和端电极40外侧的焊锡50各自还多占据了一部分空间,至少占了陶瓷电容10长度的30%,造成电路板20有效空间的浪费,于是需要一种新式的陶瓷电容,以解决上述问题。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种陶瓷电容,包含:第一面、第一金属层、第二金属层、第一陶瓷介电层、第一导电垫及第二导电垫;第一金属层包含第一端电极;第二金属层包含第二端电极,其中该第一端电极以及该第二端电极皆暴露于该第一面上;第一陶瓷介电层,其位于该第一金属层与该第二金属层之间;第一导电垫,位于该第一面上并电性连接该第一端电极,其中该第一金属层与该第一导电垫彼此垂直;第二导电垫,位于该第一面上且与该第一导电垫相隔一定距离,并电性连接该第二端电极,其中该第二金属层与该第二导电垫彼此垂直;其中该第一导电垫与该第二导电垫分别由双层金属所组成,该双层金属包含化学镀内层以及电镀外层。
根据上述的陶瓷电容,该第一金属层与该第二金属层皆为L形,且以交错方式排列。
根据上述的陶瓷电容,其更包含第三金属层及第二陶瓷介电层;第三金属层包含暴露于该第一面的第三端电极,且该第三端电极电性连接该第一导电垫;第二陶瓷介电层位于该第三金属层与该第二金属层之间。
根据上述的陶瓷电容,该化学镀内层的材质为镍,该电镀外层的材质为锡。
根据上述的陶瓷电容,该第一金属层及该第二金属层为∫形。
本发明另提供一种单面式陶瓷电容,包含第一面、第一金属层、第二金属层、第一陶瓷介电层、第一贯通道、第二贯通道、第一导电垫及第二导电垫;其中,第一金属层与该第一面平行;第二金属层,其与该第一金属层平行;第一陶瓷介电层,其夹置于该第一金属层与该第二金属层之间;第一贯通道,与该第一金属层电性连接且贯穿该第一陶瓷介电层,并部分暴露于该第一面上;第二贯通道,与该第一贯通道平行并电性连接该第二金属层,又部分暴露于该第一面上;第一导电垫,位于该第一面上并电性连接该第一贯通道,其中该第一贯通道与该第一导电垫彼此垂直;第二导电垫,位于该第一面上且与该第一导电垫相隔一定距离,并电性连接该第二贯通道,其中该第二贯通道与该第二导电垫彼此垂直。
根据上述的单面式陶瓷电容,该第一金属层与该第二贯通道电性绝缘,且该第二金属层与该第一贯通道电性绝缘。
根据上述的单面式陶瓷电容,其更包含第三金属层及第二陶瓷介电层;第三金属层,与该第二金属层平行,并电性连接该第一贯通道又被该第一贯通道所贯穿,并与该第二贯通道电性绝缘;第二陶瓷介电层,其夹置于该第三金属层与该第二金属层之间,并为该第二贯通道所贯穿。
根据上述的单面式陶瓷电容,该第一导电垫与该第二导电垫分别由双层金属所组成,该双层金属包含化学镀内层以及电镀外层。
根据上述的单面式陶瓷电容,该化学镀内层的材质为镍,该电镀外层的材质为锡。
本发明陶瓷电容的导电垫位置的新颖设计,可以占据较小的电路板空间。另外,本发明在陶瓷电容的两相对面均设置有导电垫,该结构可提供向上电性连接的可能性,十分适合解决现今电路体积缩小的要求。
附图说明
图1为一种传统的陶瓷电容。
图2为本发明陶瓷电容的一示意图。
图3为本发明陶瓷电容的组件爆炸图。
图4为本发明陶瓷电容的一实施方式。
图5为本发明的陶瓷电容用于表面黏着技术中。
图6为本发明单面式端电极陶瓷电容的示意图。
图7为本发明陶瓷电容的另一示意图。
图8为图7所示的陶瓷电容的组件爆炸图。
图9A为图7所示的陶瓷电容的又一实施方式。
图9B为图7所示的陶瓷电容的再一实施方式。
图10为图7所示的陶瓷电容用于表面黏着技术中。
图11为本发明陶瓷电容中的导电垫由双层金属所组成。
具体实施方式
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